【摘要】:为增加超声波换能器的带宽,还有一个重要的手段就是电匹配问题,依据声电类比,将探头的阻抗特性以等效电路的形式表示。对一定厚度的压电晶片而言,存在一个固定频率,以f0表示:式中V——晶片中的超声波传播速度;d——晶片厚度。由图5.7可以看出,只有L1、R1、C1支路的动态阻抗是由压电效应所引起的。当超声波频率为f0时,晶片产生的电共振与机械共振一致,此时L1、R1、C1支路呈纯阻状态。
为增加超声波换能器的带宽,还有一个重要的手段就是电匹配问题,依据声电类比,将探头的阻抗特性以等效电路的形式表示。
图5.7 等效电路
图5.7中,L1、R2、C3分别为探头的等效电感、电阻、电容,C0为晶片静电容,R0为介质损耗:
式中 ω——角频率;
tanδ——介质损耗角正切。
因为晶片存在无穷多个谐振频率,因此在图5.7中以不同的L、R、C表示。对一定厚度的压电晶片而言,存在一个固定频率,以f0表示:
式中 V——晶片中的超声波传播速度;(www.xing528.com)
d——晶片厚度。
由图5.7可以看出,只有L1、R1、C1支路的动态阻抗是由压电效应所引起的。当超声波频率为f0时,晶片产生的电共振与机械共振一致,此时L1、R1、C1支路呈纯阻状态。此时若忽略R0的影响,则等效电路可以图5.8表示。
图5.8 f0时的等效电路
由图5.8看出,f0谐振时,由于C0的存在,使得信号源电流I不能完全进入R1支路;也就是说,由于无功分量I0存在,导致探头的功率因数降低。对于一般的压电晶片,存在如下公式:
式中 ε——晶片的介电常数;
S——晶片的面积。
晶片在振动时,内部产生完全不流动的电荷,减小了介电位移,等同减小了介电常数,因此存在C静止>C振动。由式(5.5)可以看出,C0与晶片的介电常数ε和面积S成正比,与晶片厚度d成反比。由于ZC0的存在,探头得不到最大的发射功率,因此如果在C0支路并联一个电感L0,将电容C0的影响抵消,探头得到的发射功率会极大提高。式(5.6)给出的是L0的计算公式:
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