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压电晶片材料及其应用

时间:2023-07-02 理论教育 版权反馈
【摘要】:图5.3压电晶片材料的发展过程1)压电单晶体石英晶体。石英晶体又称二氧化硅,有天然和人工两种,是最早应用于探头的压电材料。石英晶体适用于制作高温、高频探头,但是其纵向机电耦合系数较小,灵敏度低,因此逐渐被其他晶体材料所取代。3)压电半导体压电半导体材料主要应用于制作高达100 MHz至1 GHz的超声波换能器,如超声波显微镜的换能器材料等。表5.1常见压电晶体参数

压电晶片材料及其应用

压电晶片是超声波探头的主要部件,依据用途不同有圆盘形、长方形、圆环形、球壳形、圆柱形、管形等多种形式。按其材料分主要有五大类。不同材料的发展简史如图5.3所示。

图5.3 压电晶片材料的发展过程

1)压电单晶体

(1)石英晶体。石英晶体又称二氧化硅(SiO2),有天然和人工两种,是最早应用于探头的压电材料。它的居里温度高,可以达到575℃,介电常数小(ε=4.15),机械性能和电性能稳定。石英晶体由于切割方位不同,其性能也会不一样:X切割常用来产生厚度振动模式,产生接收纵波;Y切割和AC切割产生纯剪切模式,产生接收横波。石英晶体适用于制作高温、高频探头,但是其纵向机电耦合系数较小,灵敏度低,因此逐渐被其他晶体材料所取代。

(2)铌酸锂(LiNbO3)。铌酸锂是人工培育的单晶,具有较强的压电性能,性能稳定,居里点高达1 210℃,熔点1 240℃,不溶于水,化学性能稳定。在36°Y切割时,纵向振动的机电耦合系数可达55%,频率常数高,适合用于制作高频换能器,其频率常数为3.62 MHz·mm。在铌酸锂中传播的超声波传播损失小,甚至在500 MHz时小于0.05 dB/cm;声阻抗高,与压电陶瓷相当,约34×106 kg/m2·s,被广泛应用于超声波技术中。

(3)硫酸锂(Li2SO4·H2O)。硫酸锂是人工培育的单晶,g33较大,接收灵敏度高,发射特性介于石英与钛酸钡之间,声阻抗较小,适宜于制作水浸探头。但由于硫酸锂材料容易溶于水,所以需要完全密封,又因晶片背面易于阻尼,故适用于制成窄脉冲发射和接收的探头。

除了上述几种材料外,还有很多压电单晶体材料,如罗谢耳盐(NaKC4H4O6·4H2O,又称酒石酸钾钠)、磷酸二氢铵(ADP)、磷酸二氢钾(KDP)、钽酸锂(LiTaO3)等。

2)压电多晶体(压电陶瓷)

压电多晶体材料的使用可以从20世纪40年代后期钛酸钡压电陶瓷开始,至已广泛使用的性能更好的镐钛酸铅陶瓷和铌酸盐陶瓷等。

压电陶瓷材料有一元系、二元系和三元系之分:一元系中有钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)等,二元系中有锆钛酸铅(PbZrxTi1-xO3)和偏铌酸铅钡(Pb1-xBaxNb2O6)等,三元系中有铌镁-镐-钛酸铅、铌锌-镐-钛酸铅等。(www.xing528.com)

镐钛酸铅(PbTiO3-PbZrO3)压电陶瓷简称PZT,它是PbTiO3和PbZrO3固溶物为基的组成物,其居里点在300~400℃。在较大的温度范围内性能比较稳定,作为换能材料,其压电效应显著。为满足不同需要,可通过调整其配比来满足性能要求,例如以Nb+5置换Ti+4、Zr+4,或以La+2置换Pb+2,可以提高机电耦合系数、电容率和柔性常数,同时会增加tanδ和直流电阻率,还能减小老化率(PZT-5系列)。若用钙、锶或钡置换部分的铅,用锡置换镐,可使居里点降低,电容率增大(如PZT-4)。

压电陶瓷材料制作工艺简单、成本低,可制成各种形状并通过不同极化方式制成各种形式的超声波换能器。其中,如夹心式换能器,一般工作在20~100 kHz,多用于功率超声波的各种处理,水下声源、非金属材料检测及超声波治疗等;弯曲振动换能器,工作频率在20~60 kHz,多用于空气中的测量(测距、定位等)与控制(遥控、监视等);单片厚度或切向振动换能器,工作于0.2~15 MHz,主要用于工业无损探伤、医用A超或理疗、水声换能器等;多晶片阵列探头则常用作超声波诊断用的B超探头。

3)压电半导体

压电半导体材料主要应用于制作高达100 MHz至1 GHz的超声波换能器,如超声波显微镜的换能器材料等。

4)压电高分子聚合物

1969年,一种新型有机压电薄膜材料PVDF(聚偏氟乙烯)问世。由于它具有宽频带、声阻抗低(易与轻的声负载媒质如液体、人体组织等匹配)、质地轻软(易制成任意形状及微型器件)等优点,近年来发展很快,已在超声波检测、医学诊断及测量与计量等方面获得重要应用。

5)复合压电材料

为得到低密度、低Qm值、高Kt/Ks值、高g33和d33参数的压电材料,人们发展了复合压电材料。这种材料是将压电陶瓷和高聚物按照一定的连通方式、一定的体积(或重量)比例和一定的空间几何分布复合而成。

表5.1为常见压电晶体、压电陶瓷的一些物理参数。

表5.1 常见压电晶体参数

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