【摘要】：图3.6-23 图3.6-22复合材料每一界面分层的SAM图像图3.6-24 图3.6-23所示图像的再建图3.6-25 同一受冲击复合材料试样的X射线检测照片表3.6-1 用扫描声显微镜和X射线测得分层面积的比较 表3.6-2 试样B3、B4和C3、C4分层面积比较 半导体器件的分层观察对于半导体器件之类的多层结构件以高的深度分辨力对各层作分别观察是重要的，图3.6-26为对一半导体器件用幅度方式观察时所得图像，图3.6-27则为用干涉方式观察时所得图像。
1）近代电子学的各种半导体其夹杂物的浓度就适合于以中子活化分析法测定；在非常纯的硅上所做的试验表明，可检出浓度低至5×1010原子/cm3（0.01ng/g）的铀。
2）利用此法测氧已十分普遍，适合于测量几乎所有材料中的氧，根据试样尺寸和可用的14MeV中子通量，浓度可从大于50%到约10-5，甚至更低。(www.xing528.com)
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