【摘要】：为了分析通过V中心横向截层中不同散射体的分布，可使射线源与探测器配置相对固定而平移；为了分析通过V中心的纵向截层中不同散射体的分布，可使射线源位置固定而仅平移探测器，或采用一系列的准直器和探测器。
射入试件的X射线或γ射线与试件原子壳层轨道电子或自由电子相互作用会引起电子反冲，此时能量被减弱的入射光子将沿新的方向传播，称为康普顿散射。随着入射光子能量的增加，散射方向移向射线入射方向，但即使能量比较不高也总有某些光子沿相反方向散射（背散射），如图2.4-56所示。
图2.4-56 康普顿散射强度分布
在图2.4-57所示的配置中，由两准直器所限定的体积V内部可向所有方向散射光子，向着探测器的散射光子数可给出为
式中 
——碰撞微分截面；
ΔΩ——从测量体积V的任何一点看探测器的立体角；(www.xing528.com)
N0——到达V中的入射光子数；
ΔL——在体积V内主射束的行程长度；
n——材料的电子密度，可给出为n=（ρNaZ）/A，这里ρ为试件密度；Na为阿伏伽德罗常数；Z/A为原子序数与原子质量之比。
图2.4-57 康普顿散射成像系统的几何配置示意图
由此可见，为探测器探得的康普顿背散射辐射量与散射体的原子序数和密度有关。为了分析通过V中心横向截层中不同散射体的分布，可使射线源与探测器配置相对固定而平移；为了分析通过V中心的纵向截层中不同散射体的分布，可使射线源位置固定而仅平移探测器，或采用一系列的准直器和探测器。
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