半导体晶体管：基本结构和类型

1.晶体管的结构

晶体管是由三层杂质半导体构成的器件，由于这类晶体管内部的电子载流子和空穴载流子同时参与导电，故称为双极型晶体管。它有三个电极，所以又称为半导体晶体管、晶体晶体管等，也简称为晶体管。

晶体管内含两个PN结，三个导电区域。两个PN结分别称作发射结和集电结，发射结和集电结之间为基区。从三个导电区引出三根电极，分别为集电极c、基极b和发射极e（图7-16、图7-17）。

图7-16晶体管的结构示意与电路符号

a）NPN型 b）PNP型

（1）晶体管实现电流放大作用的内部结构条件

发射区掺杂浓度很高，以便有足够的载流子供“发射”；为减少载流子在基区的复合机会，基区做得很薄，一般为几个微米，且掺杂浓度较发射极低；集电区体积较大，且为了顺利收集边缘载流子，掺杂浓度很低。(www.xing528.com)

可见双极型晶体管并非是两个PN结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。

图7-17 晶体管的实物图

（2）晶体管实现放大作用的外部条件

晶体管实现放大作用的外部条件是发射结电压正向偏置，集电结电压反向偏置。

2.晶体管类型

晶体管的类型包括：按结构不同分为NPN型和PNP型；按材料不同分为硅管和锗管；按照功率不同分为大、中、小功率管等；按照工作频率不同分为高频管、低频管等；按照封装形式有金属封装、玻璃封装和塑料封装等。