半导体二极管的伏安特性分析

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。若以电压为横坐标，电流为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来，就构成二极管的伏安特性曲线，如图7-10所示（图中虚线为锗管的伏安特性，实线为硅管的伏安特性）。

1.正向特性

二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压（也称阈值电压），硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，如图7-10所示的OA（OA′）段。

图7-10 二极管的伏安特性曲线

当正向电压超过门槛电压时，正向电流急剧地增大，二极管呈现很小电阻处于导通状态。硅管的正向导通压降约为0.6～0.7V，锗管约为0.2～0.3V，如图7-10所示的AB（A′B′）段。二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过最大值，否则将烧坏PN结。

2.反向特性(www.xing528.com)

二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。此时的电流称为反向饱和电流I_R，如图7-10所示的OC（OC′）段。

3.反向击穿特性

二极管反向电压加到一定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压，用U_BR表示，如图7-10所示的CD（C′D′）段。

4.温度对特性的影响

由于二极管的核心是一个PN结，它的导电性能与温度有关，温度升高时二极管正向特性曲线向左移动，正向压降减小；反向特性曲线向下移动，反向电流增大。