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MOSFET高频逆变器优化技术

时间:2023-07-01 理论教育 版权反馈
【摘要】:具有自关断能力的功率晶体管MOSFET的中小功率逆变器,多采用电压型串联谐振逆变器;大功率则多采用电流型并联谐振逆变器。逆变器的上、下桥臂的栅极驱动,应遵守先关断、后开通的原则,因而工作桥臂轮换时,它们的触发脉冲之间存在时间死区ts。为此,可手动调整RW从而调节SG3525的PWM波的频率来跟踪f0的变化,电源装置面板上的“输出功率调节”实际是手动调节RW。

MOSFET高频逆变器优化技术

用于感应加热的高频逆变器,主要有电压型串联谐振和电流型并联谐振逆变器。具有自关断能力的功率晶体管MOSFET的中小功率逆变器,多采用电压型串联谐振逆变器;大功率则多采用电流型并联谐振逆变器。由于功率晶体管在功率、控制性能和可靠性设计方面取得的进步使得高频电源的额定输出功率达到600kW,频率达到400kHz,逆变器效率在85%~90%,整机效率达到74%~77%。

(1)电压型串联谐振逆变器 图2-29所示为振荡功率为30kW,工作频率为加上导通和截止触发脉冲即可正常工作。逆变器的上、下桥臂的栅极驱动,应遵守先关断、后开通的原则,因而工作桥臂轮换时,它们的触发脉冲之间存在时间死区ts。触发电路也可采用售品专用驱动器芯片组成,如UC3706和UC3708。(www.xing528.com)

由于三相整流桥为不可控三相整流电路,U0的值不可控,因而,不能通过改变直流电压U0的办法来改变输出功率。当被加热工件的物理状态发生变化(如体积大小,感应器尺寸与形状变化)时,L、R、C串联谐振电路的固有谐振频率f0将发生变化,为了使工作频率f尽量接近f0,即功率因数cosφ应尽量接近于1,以获取最大的功率输出。为此,可手动调整RW从而调节SG3525的PWM波的频率来跟踪f0的变化,电源装置面板上的“输出功率调节”实际是手动调节RW。目前已在技术上实现了采用单片计算机技术结合数字电位器(代替RW)来进行频率的自动跟踪。

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