V/I和V/t曲线的联系与对应关系探析

V/I曲线与V/t曲线有什么联系呢？讨论这个概念时我们需要用到50Ω负载线，所以下面先介绍50Ω负载线。

为什么要画50Ω负载线？V/t数据都是在模型外接50Ω负载测量时得到的，而模型内部工作状况是未知的，50Ω负载线可以将模型外部的状态与模型内部的状态联系起来。

图2-34 分压值V1与V2在V/t曲线上的表示

以画Virtex-5芯片LVCMOS25_F_2（其V_CC=2.5V）模型的Pull Down的负载线为例，Pull Down的负载线选取的是外接50Ω到V_CC的模型。我们利用模型输出电压为V_CC和0V这两个点确定50Ω负载线。模型输出电压为V_CC时，外部的50Ω电阻上的电压降为0V，所以这时流进模型的电流为0mA。模型输出电压为0V时，外部的50Ω电阻上的压降为V_CC，所以这时流进模型的电流为2.5V/50Ω=50mA。通过以上两点我们就可以确定Pull Up曲线的50Ω负载线，如图2-35所示。同理，Pull Up条件下50Ω负载线也可以用以上方法得到。

图2-35 LVCMOS25_F_2 Pull Down曲线的50Ω负载线

下面我们来介绍V/I与V/t之间的联系，还是以LVCMOS25_F_2的Pull Down状态为例。现在我们把IBIS模型想象成一个“黑匣子”，在外接50Ω负载到V_CC的情况下，输出端口（IBIS模型的V_measure处）在电压变化时，50Ω电阻两端电压差V除以其流过的电流I始终等于50Ω，将其V、I值绘成一根直线，如图2-35所示。然后考虑芯片的V/I特性，在外接50Ω负载时，在IBIS下拉的V/I曲线上找到端口输出满足外部等于50Ω的情况的点。也就是说在下管导通的时候，其工作点就稳定在Pull Down曲线与50Ω负载线的交点，所以对于外接50Ω到V_CC的上升沿的电压起始点与下降沿的电压终止点都是这个交点的电压值，如图2-36所示。(www.xing528.com)

图2-36 Pull Down下的V/I与V/t的对应关系

如果我们外接50Ω负载到Gnd，按照同样的方法得到Pull Up条件下V/I与V/t的对应关系，如图2-37所示。

图2-37 Pull Up下V/I与V/t的对应关系

V/I与V/t的关系也是验证模型正确的一个重要因素，验证模型的时候将50Ω负载线和V/I曲线交点的电压值相差在±5%×V_CC以内，都认为模型是正确的，如果超过了±5%×V_CC的误差范围，我们就要认为这个模型是有问题的。