上升曲线和下降曲线的原理深入解析

IBIS模型的上升曲线与下降曲线的形成原理是什么呢？下面将对其进行解释。由于封装参数是另加的，所以我们讲解的内容都是去除了封装参数的。

1.上管打开和关闭的V/t曲线

首先分析上管打开和关闭的V/t曲线的测量与形成，测量环境如图2-28所示。

图2-27 V/t曲线的测试负载

图2-28 测试上管打开和关闭的V/t曲线

当我们的输入从1变到0时，上管从截止变为导通，下管从导通变为截止。电容两端初始电压为0V，由于电容两端的电压不能突变，上管导通后V_CC通过上管给C_Comp充电，直到充至稳定状态，这个过程中产生了上升沿。当我们的输入从0变到1时，上管从导通变为截止，下管从截止变为导通，C_Comp放电产生下降沿。(www.xing528.com)

如果我们给缓冲器设置一个输入从1变到0的过程，并记录下这个过程中Measure Point处电压与时间的对应关系即上管打开的V/t曲线。反之，如果我们给缓冲器设置一个输入从0变到1的过程，记录下Measure Point处电压与时间的对应关系就是上管关闭的V/t曲线。

2.下管打开和关闭的V/t曲线

图2-29所示是外接50Ω负载到V_CC测试上升沿与下降沿的环境，上升沿通过50Ω和导通上管给C_Comp充电所得，下降沿通过C_Comp给导通下管放电所得。

如果我们给缓冲器设置一个输入从1变到0的过程，并记录下这个过程中Measure Point处电压与时间的对应关系即下管关闭的V/t曲线。如果我们给缓冲器设置一个输入从0变到1的过程，记录下Measure Point处电压与时间的对应关系就是下管打开的V/t曲线。

图2-29 测试下管打开和关闭的V/t曲线