理解V/t曲线的参数和意义介绍

IBIS规范定义以下关键字来描述V/t数据，见表2-2。

表2-2 V/t数据关键字

从表2-2中发现Ramp、Rising Waveform与Falling Waveform是描述V/t曲线的3个关键字。关键字Ramp包含着上升沿与下降沿的斜率信息，关键字Rising Waveform和关键字Fall-ing Waveform分别包含着模型上升沿与下降沿信息，下面将给出具体的解释。

1.关键字Ramp

IBIS规范对Ramp作了以下的定义：Ramp=dV/dt，其中dV是电压为20%～80%的摆幅值，而dt就是该电压从20%变化到80%时对应的转换时间。图2-21给出了如何通过上升曲线计算Ramp的例子，图2-21中的dV等于1.26V，dt等于3.71ns，所以dV/dt=1.26V/3.71ns。

图2-21 上升曲线与Ramp的计算

从Xilinx公司Virtex-5芯片的LVCMOS15_S_16模型中找到Ramp数据，如图2-22所示。dV/dt_r是上升沿数据，dV/dt_f是下降沿数据，R_load是获取Ramp时用的负载电阻的大小。

图2-22 模型的Ramp数据

2.关键字Rising Waveform与Falling Waveform(www.xing528.com)

关键字Rising Waveform与Falling Waveform下面的数据分为两个部分，V/t曲线测试负载的信息和在该测试负载下得到的曲线数据。在选取时间步长的时候，我们应该尽量选择小步长使得波形圆滑。图2-23～图2-26所示为LVCMOS15_S_16模型4组V/t数据的截图，由于篇幅有限，V/t数据只截取了开始的几个步长点。

图2-23 外接50Ω到V_CC的上升沿数据

图2-24 外接50Ω到V_CC的下降沿数据

图2-25 外接50Ω到Gnd的上升沿数据

图2-26 外接50Ω到V_CC的下降沿数据

还有一点需要说明的是，上面的讲解用的测试负载是50Ω的电阻。如果我们将测试负载根据实际情况更换为图2-27所示的电阻、电容和电感组合也是允许的。