【摘要】：本节我们主要讨论的是IBIS模型的V/t特性曲线。在前面的内容中已经研究过了IBIS模型的V/I特性曲线。V/t曲线与V/I曲线的对应关系是什么？上管打开和关闭的V/t曲线通过外接50Ω负载到Gnd测得。所以V/t数据也可以分为两组：一组为上管打开和关闭的V/t曲线；另一组为下管打开和关闭的V/t曲线。有人要问了，既然V/t曲线考虑模型的动态特性，那C_Comp是不是也应该被考虑到V/t曲线中？没错，V/t曲线的确包含了C_Comp的影响。
本节我们主要讨论的是IBIS模型的V/t特性曲线。在前面的内容中已经研究过了IBIS模型的V/I特性曲线。由于V/I曲线表征的只是模型在静态工作下电压与电流的关系，所以我们要引入一个能表征模型动态电平转换的参数，V/t数据就是这样一个参数。
V/t曲线反映的是模型在电平转换过程中电压与时间的关系，即上升沿与下降沿的信息。那么，V/t曲线包含了什么关键字？上升沿与下降沿又是怎么形成的？V/t曲线与V/I曲线的对应关系是什么？如何通过V/t曲线来验证模型的好坏？看完本节的解释以后，相信这些问题都会迎刃而解。
IBIS模型通过上下两个MOS FET轮流导通来实现输出电平的转换。模型导通的截止分为4种情况：上管打开、上管关闭、下管打开、下管关闭。上管打开和关闭的V/t曲线通过外接50Ω负载到Gnd测得。下管打开和关闭的V/t曲线通过外接50Ω到VCC测得。所以V/t数据也可以分为两组：一组为上管打开和关闭的V/t曲线；另一组为下管打开和关闭的V/t曲线。
有人要问了，既然V/t曲线考虑模型的动态特性，那C_Comp是不是也应该被考虑到V/t曲线中？没错，V/t曲线的确包含了C_Comp的影响。C_Comp的参数可以在关键字Model下面找到，如图2-20所示。(www.xing528.com)
图2-20 C-Comp的参数
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