如何获取2.3.6V/I曲线？

那么IBIS的V/I曲线是怎么得到的呢？下面开始介绍V/I曲线的仿真获取方法。在获取V/I数据之前，首先需要确定被测试引脚的缓冲器类型，如果是I/O模型，需要仿真获取Pull Up、Pull Down、Power Clamp和Gnd Clamp 4组曲线。如果是Input模型，那么只需要仿真获取Power Clamp和Gnd Clamp两组曲线就可以了。为了覆盖所有曲线获取方法，我们选取三态模型来进行讲解。

图2-9 Power Clamp的V_measure和V_table曲线

图2-10 Gnd Clamp的V/I曲线与I/O缓冲器模型

图2-11所示是测试示意图，我们在缓冲器外加了一个扫描电压源，扫描范围为-V_CC～2V_CC，同时记录下每一个电压值在测量点V_measure处的电流值。测量V/I曲线时，扫描电压是直流电流，所以C_Comp可以看成是断路。由于封装参数都是需要另外测得，然后加到I-BIS模型里面的，所以在测量时应该去掉引脚的封装参数（R_Pkg、L_Pkg、C_Pkg）。

图2-11 测试示意图

1.Pull Up曲线的获取

要测得Pull Up的V/I曲线，就需要将三态模型设置在相应的工作状态，即高输入电平为低电平，此时下管截止，上管导通。忽略下管的影响得到图2-12所示的测量简化模型。测量的时候将电压扫描范围设置在-V_CC～2V_CC，记录下测量点在各个电压值下对应的电流，这就是所测得的V/I曲线。

图2-12 Pull Up测量简化模型

2.Pull Down曲线(www.xing528.com)

要测得Pull Down的V/I曲线，就需要将三态模型设置在输入电平为高电平状态，此时上管截止，下管导通。图2-13所示就是测量Pull Down曲线的简化模型。测量电压扫描范围同样是-V_CC～2V_CC，并记录下各个电压值相应的电流值，就可以得到所需的V/I曲线。

图2-13 输出状态为高电平时的简化模型

3.Power Clamp曲线

将三态模型设置在高阻态模式，使得上拉MOS FET和下拉MOS FET都截止。当外部电压是从V_CC扫描到2V_CC时，Power Clamp的二极管导通，我们记录下相应电压值以及电流值，这就是我们所需要的Power Clamp的V/I数据。图2-14所示为Power Clamp测量简化模型。

4.Gnd Clamp V/I曲线

将三态模型设置在高阻态模式，使得上拉MOS FET和下拉MOS FET都截止，这样得到的就是Gnd Clamp曲线，外部电压的扫描区间是-V_CC～2V_CC，-V_CC～0时Gnd Clamp的二极管导通，此时记录下相应的电压值以及电流值，这就是我们所需要的Gnd Clamp的V/I数据。图2-15所示是Gnd Clamp测量简化模型。

还有一点需要特别注意，我们测量得到三态模型的Pull Up或Pull Down曲线里还包含了两个钳位二极管影响，要得到纯粹的Pull Up或Pull Down曲线需要在测量到的曲线里面减去Clamp曲线的影响。以Pull Up为例，要得到纯粹的Pull Up曲线，就可以把包含了钳位二极管的Pull Up曲线减去Power Clamp与Gnd Clamp曲线得到纯粹的Pull Up曲线。

图2-14 Power Clamp测量简化模型

图2-15 Gnd Clamp测量简化模型