用表检测场效应晶体管的费用为4.6万

场效应晶体管（Field-Effect Transistor）简称FET，也是一种具有PN结结构的半导体器件，它与普通晶体管的不同之处在于它是电压控制器件。场效应晶体管按其结构不同分为绝缘栅型场效应晶体管和结型场效应晶体管；按其工作状态可分为增强型和耗尽型两种，每种类型按其导电沟道不同又分为N沟道和P沟道两种，如图4-59所示。

在使用万用表检测场效应晶体管时，数字式万用表和指针式万用表是一样的，下面以数字式万用表为例介绍典型场效应晶体管的检测方法。

图4-59 常见场效应晶体管的实物外形

首先，将万用表旋至欧姆挡，量程调整为“×10”挡，并将万用表两表笔短接，调整调零旋钮使指针指示为0，然后将万用表的黑表笔搭在场效应晶体管的栅极引脚上，红表笔搭在场效应晶体管的源极引脚上。观测万用表显示读数，测得电阻值记为R₁，其电阻值为170Ω，如图4-60所示。

图4-60 检测场效应晶体管的源极与栅极之间的电阻值

将万用表的黑表笔搭在场效应晶体管的栅极引脚上，红表笔搭在场效应晶体管的漏极引脚上。观测万用表显示读数，测得电阻值记为R₂，其电阻值为170Ω，如图4-61所示。

图4-61 检测场效应晶体管的漏极与栅极之间的电阻值

将万用表旋至欧姆挡，量程调整为“×1k”挡，先进行欧姆调零，再将万用表的黑表笔搭在场效应晶体管的漏极引脚上，红表笔搭在场效应晶体管的源极引脚上。测得电阻值为R₃，其电阻值为5kΩ，如图4-62所示。(www.xing528.com)

图4-62 检测场效应晶体管的漏极与源极之间的电阻值

保持表笔不动，使用一只螺丝刀或手指接触场效应晶体管的栅极引脚。在接触的瞬间可以看到，万用表的指针会产生一个较大的变化（向左或向右均可），如图4-63所示。

图4-63 用一只螺丝刀接触场效应晶体管的栅极引脚

若测得R₁和R₂均有一个固定值，反向阻值均为无穷大，则说明该场效应晶体管良好。

若测得R₁和R₂为零或无穷大，则说明该场效应晶体管已损坏。

若测得的漏极（D）与源极（S）之间的正反向阻值均有一个固定值，则说明该场效应晶体管良好。

若测得的漏极（D）与源极（S）之间的正反向阻值为零或无穷大，则说明该场效应晶体管已损坏。

当红表笔搭在场效应晶体管的漏极上，黑表笔搭在源极上，螺丝刀搭在栅极处时，万用表指针摆动幅度越大，说明场效应晶体管的放大能力越好，反之，则表明场效应晶体管放大能力越差。若螺丝刀接触栅极时，万用表指针无摆动，则表明场效应晶体管已失去放大能力。