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激光微纳制造装备趋势

时间:2023-07-01 理论教育 版权反馈
【摘要】:在国家“十二五”科技创新成就展中,大面积微纳3D直写设备作为国家“863计划”先进制造领域标志性成果进行展出。目前,该装备已应用在中国电子科技集团有限公司、清华大学、香港理工大学等数十家单位的微纳材料与器件研制与制造,并出口俄罗斯、以色列等国。

激光微纳制造装备趋势

大面积微纳3D形貌的高效加工是国际重大难题,其核心技术问题是如何将设计海量数据高效转化为3D微纳形貌。苏州大学研究团队基于激光空间整形加工新方法,提出基于位相-空间光混合调制数字化光场的光刻技术,采用“微纳结构光场”逐帧数字化滚动叠层(积分)技术(1.2万帧/秒,1920×1080数据/帧)、3D导航飞行曝光模式,攻克了在翘曲表面上的复杂微纳3D形貌高效加工重大难题,研制成功“大面积微纳3D直写设备MiScanV”(图6.12),填补了行业空白,并成功应用于大面积柔性功能材料、大尺寸电容传感器、新型显示器件、MEMS器件等国防和民用高技术研究领域。在国家“十二五科技创新成就展中,大面积微纳3D直写设备作为国家“863计划”先进制造领域标志性成果进行展出。目前,该装备已应用在中国电子科技集团有限公司、清华大学香港理工大学等数十家单位的微纳材料与器件研制与制造,并出口俄罗斯、以色列等国。

(www.xing528.com)

图6.12 大面积微纳3D直写设备 MiScanV及其标志性成果

针对在光子芯片、3D显示、光波导器件的研制中,缺乏“亚纳米精度调控”技术手段的难题,苏州大学研究团队发明了“五维微纳光场调控的纳米光刻新方法(结构单元坐标、取向、结构尺度和深度)”,结构分辨率接近λ/4,比投影光刻系统的分辨率提高2倍;并成功研发结构调制精度<1 nm的纳米光刻设备“NanoCryatal”,光场尺寸100~250 μm,光场内结构尺度>90 nm,幅面6~32吋,结构光场的光刻模式,速率达100 ~500 mm2/min,填补了行业空白,并实现了产业化应用(上海交通大学、香港理工大学和多家企业)。

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