【摘要】：图3-28 PNP型晶体管的构成将两个P型半导体和一个N型半导体按图3-28a所示的方式结合在一起,两个P型半导体中的正电荷会向中间的N型半导体中移动,N型半导体中的负电荷会向两个P型半导体移动,结果在P、N型半导体的交界处形成PN结,如图3-28b所示。两个PN结将晶体管内部分作三个区,与发射极相连的区称为发射区,与基极相连的区称为基区,与集电极相连的区称为集电区。图3-29 NPN型晶体管的构成
晶体管有PNP型和NPN型两种。PNP型晶体管的构成如图3-28所示。
图3-28 PNP型晶体管的构成
将两个P型半导体和一个N型半导体按图3-28a所示的方式结合在一起,两个P型半导体中的正电荷会向中间的N型半导体中移动,N型半导体中的负电荷会向两个P型半导体移动,结果在P、N型半导体的交界处形成PN结,如图3-28b所示。
在两个P型半导体和一个N型半导体上通过连接导体各引出一个电极,然后封装起来就构成了晶体管。晶体管三个电极分别称为集电极(用c或C表示)、基极(用b或B表示)和发射极(用e或E表示)。PNP型晶体管的各个极如图3-28c所示。(www.xing528.com)
晶体管内部有两个PN结,其中基极和发射极之间的PN结称为发射结,基极与集电极之间的PN结称为集电结。两个PN结将晶体管内部分作三个区,与发射极相连的区称为发射区,与基极相连的区称为基区,与集电极相连的区称为集电区。发射区的半导体掺入杂质多,故有大量的电荷,便于发射电荷;集电区掺入的杂质少且面积大,便于收集发射区送来的电荷;基区处于两者之间,发射区流向集电区的电荷要经过基区,故基区可控制发射区流向集电区电荷的数量,基区就像设在发射区与集电区之间的关卡。
NPN型晶体管的构成与PNP型晶体管类似,它是由两个N型半导体和一个P型半导体构成的,具体如图3-29所示。
图3-29 NPN型晶体管的构成
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