1.光谱特性
光敏管的光谱特性是指在一定照度时，输出的光电流（或用相对灵敏度表示）与入射光波长的关系。硅和锗光敏二极管（晶体管）的光谱特性曲线如图8-12所示。从曲线可以看出，硅的峰值波长约为0.9μm，锗的峰值波长约为1.5μm，此时灵敏度最大，而当入射光的波长增长或缩短时，相对灵敏度都会下降。一般来讲，锗管的暗电流较大，因此性能较差，故在可见光或探测炽热状态物体时，一般都用硅管。但对红外光的探测，用锗管较为适宜。
图8-12 光敏二极管（晶体管）的光谱特性
2.伏安特性
图8-13a所示为硅光敏二极管的伏安特性。横坐标表示所加的反向偏压。当光照时，反向电流随着光照强度的增大而增大，在不同的照度下，伏安特性曲线几乎平行，所以只要没达到饱和值，它的输出实际上不受偏压大小的影响。
图8-13b所示为硅光敏晶体管的伏安特性。纵坐标为光电流，横坐标为集电极—发射极电压。从图中可见，由于晶体管的放大作用，在同样照度下，其光电流比相应的二极管大上百倍。
图8-13 伏安特性
a）硅光敏二极管 b）硅光敏晶体管
3.频率特性
光敏管的频率特性是指光敏管输出的光电流（或相对灵敏度）随频率变化的关系。光敏二极管的频率特性是半导体光电器件中最好的一种，普通光敏二极管频率响应时间达10μs。光敏晶体管的频率特性受负载电阻的影响。图8-14所示为光敏晶体管频率特性。减小负载电阻可以提高频率响应范围，但输出电压响应也减小。
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图8-14 光敏晶体管的频率特性
4.温度特性
光敏管的温度特性是指光敏管的暗电流及光电流与温度的关系。光敏晶体管的温度特性曲线如图8-15所示。从特性曲线可以看出，温度变化对光电流影响很小（见图8-15b），而对暗电流影响很大（见图8-15a），所以在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。
图8-15 光敏晶体管的温度特性
表8-2所示为2CU型硅光敏二极管的基本参数。
表8-2 2CU型硅光敏二极管的基本参数
表8-3所示为3DU型硅光敏晶体管的基本参数。
表8-3 3DU型硅光敏晶体管的基本参数
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