【摘要】：吸收回路如图2-7所示，它是利用电阻、电容和阻塞二极管组成的钳位电路，可有效地保护开关功率管不受损坏。剩磁释放完毕后，一次绕组N1的电压V1为根据2.2.1节的计算，加在VT1上的电压峰值Vdsp≈495.74V。则=5.95×10-9F=0.059μF，取0.06μF用开关管MOSFET上的峰值电压减去图2-7中R3两端的电压VR3，就是阻塞二极管VD5所承受的电压。所以，VD5所承受的电压为Vdsp-VR3=495.74V-183V=312.74V，选用耐压值为400V以上、电流值在0.8A以上的高快速恢复二极管UF4004。
吸收回路如图2-7所示，它是利用电阻、电容和阻塞二极管组成的钳位电路，可有效地保护开关功率管不受损坏。VT1导通时，变压器TR1的磁通量增大，这时便将电能积蓄起来。VT1截止时，便将积蓄的电能释放，变压器一次绕组中便有剩磁产生，并通过VD5反馈到二次侧。剩磁释放完毕后，一次绕组N1的电压V1（min）为
根据2.2.1节的计算，加在VT1上的电压峰值Vdsp≈495.74V。又设吸收回路工作周期T=10μs，一次绕组电感LP=0.85mH，则吸收回路的电阻R3为
=94.830×88.45Ω=8388Ω=8.4kΩ
时间常数R3C6比周期T大得多，一般取5倍左右。
则
=5.95×10-9F=0.059μF，取0.06μF(www.xing528.com)
用开关管MOSFET上的峰值电压（Vdsp）减去图2-7中R3两端的电压VR3，就是阻塞二
极管VD5所承受的电压。
式中，VS是高频变压器的二次电压，设VS=13.3V；n是该变压器的电压比，n=7/64≈0.109。
所以，VD5所承受的电压为Vdsp-VR3=495.74V-183V=312.74V，选用耐压值为400V以上、电流值在0.8A以上的高快速恢复二极管UF4004。
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