结构类型对电流的影响

晶体管内部有发射区、基区和集电区三个区，由三个区引出的三个极分别叫作发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。两个PN结分别叫作发射结和集电结。在晶体管电路符号中发射极箭头的方向，表示发射结正偏时的发射极电流的方向，NPN型与PNP型发射极电流的方向刚好相反，两者可在应用上形成互补。晶体管按制作材料的不同，又分为硅管和锗管两种。

图3-2 晶体管的三种基本组态

晶体管在实际应用时，总要将它的三个极组成一个输入端和一个输出端，其中一个极为输入、输出回路的公共端。图3-2示出了晶体管的三种基本组态电路。按公共端的不同，将晶体管电路分为共发射极电路，简称“共射”电路；共基极电路，简称“共基”电路；共集电极电路，简称“共集”电路。不同组态的电路，其特性存在差异。

晶体管各电极电压与电流的关系，构成晶体管的外部特性。由图3-3可得无论晶体管是何种类型，发射极电流（I_E）、集电极电流（I_C）和基极电流（I_B）三者之间的关系满足

I_E=I_B+I_C （3-1）(www.xing528.com)

图3-3 晶体管电流分配关系

当晶体管工作在放大状态时，集电极电流I_C是基极电流I_B的β倍，即

β叫作晶体管的直流电流放大系数，一般近似为常数，且β＞＞1。但不同型号晶体管的β值不同。由式（3-2）可得在放大状态下，，当时，有I_E≈I_C。