PN结的电击穿特性及稳压电路的自测题

2-1 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。

（1）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。（ ）

（2）P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ）

（3）PN结内的扩散电流是载流子在内电场作用下形成的。（ ）

（4）漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）

（5）由于PN结交界面两边存在电位差，所以把PN结两端短路时就有电流通过。（ ）

（6）PN结方程可以描述其正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。（ ）

2-2 填空题

（1）PN结的电击穿有两种，分别是____击穿和____击穿，其中发生在掺杂浓度较低的PN结中的是____击穿，发生在掺杂浓度较高的PN结中的是____击穿，利用PN结的击穿特性可以制成。

（2）在室温27℃时，一硅二极管的反向饱和电流I_s=20pA，如果二极管两端加0.6V的正向电压，则二极管的电流I_D=____，如果加1V的反向电压，则二极管的电流I_D=____。

（3）给PN结加上偏置电压，P端接电源正极，N端接负极，称为____，此时PN结____；反之称为____，此时PN结____，这种特性称之为PN结的____。

（4）在电路中，如果流过二极管的正向电流过大，二极管将会____，甚至____；如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

（5）用万用表测二极管的正反向电阻时，发现阻值都很小或为零，说明这只二极管____；如果阻值都很大，说明这只二极管____。

图2-49 自测题2-3

2-3 二极管电路如图2-49所示。

（1）设二极管为理想二极管，试问流过负载R_L的电流为多少？

（2）若二极管可看作是理想二极管和电压源串联模型，且U_D（th）=0.7V，试问此时流过负载R_L的电流为多少？(www.xing528.com)

（3）若二极管可看作是电阻和电压源串联模型，且U_D（th）=0.7V，R_D=20Ω，试问此时流过负载R_L的电流为多少？

（4）增加电源电压E，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？

2-4 试判别如图2-50所示电路中各二极管的状态（导通或截止），并予以说明（设二极管具有理想特性）。

图2-50 自测题2-4

2-5 稳压管电路如图2-51所示，设稳压管VS₁和VS₂的稳定电压分别为8V和10V，正向导通电压为0.7V，U_i=20V。试求各电路的输出电压U_o。

图2-51 自测题2-5

2-6 稳压管电路如图2-52所示。

（1）设稳压管VS的稳定电压6V，限流电阻R=100Ω，U_i=10V。试分别求R_L为200Ω和50Ω时的输出电压U_o和稳压管的稳定电流I_Z的值。

（2）设U_i=15V，稳压管VS的稳定电压12V，限流电阻R=100Ω，稳压管正常工作时允许的最大电流为20mA，最小电流为5mA，试求负载电阻R_L的取值范围。

2-7 如图2-53所示，已知U₁=6V，u_i=10sinωtV，对应a、b两个电路图，分别画出输出电压u_o的波形（设二极管VD为理想二极管）。

图2-52 自测题2-6

图2-53 自测题2-7

[1]lx（勒克斯），为照度单位。编者注