晶体三极管是一个热敏器件,而通常电子产品的环境温度是变化的,如果对放大电路的稳定性要求较高,就要克服温度变化产生的影响。设置使静态工作点稳定的偏置电路,是克服温度变化造成放大电路不稳定工作的有效方法。
(1)了解分压偏置放大电路稳定静态工作点的原理。
(2)测试分压偏置放大电路静态工作点,并与理论推导进行比较,掌握电路器件参数对静态工作点的影响。
(3)测试分压偏置放大电路的动态指标,即电压放大倍数、输入电阻、输出电阻,并分析动态指标与电路器件参数的关系。
任务要求
按测试要求完成所有测试内容,并对测试数据进行比较分析。
测试环境
双直流稳压电源一台,双踪示波器一台,信号源一台,万用表一只,面包板一块,电阻、三极管等元器件若干。
测试电路
测试电路如图2-23所示,VT 为三极管9013。
图2-23 分压式射级偏置放大电路
测试步骤
(1)按图2-23在面包板上接好电路。
(2)调节Rp,使VE=2V,用万用表测量Rp的阻值,Rp= ________(Rp阻值不可再调节)。并按照表2-2测量并计算各静态工作点,将结果填入表2-2中。
表2-2 各静态工作点的测量值
(3)接入f=1kHz、uimax=1mV 的正弦交流信号,用示波器观察ui和uo的波形。在信号频率不变的情况下,按表2-3中的数值,改变ui的幅值,观察并记录uo。将结果填入表2-3中。
表2-3 测量结果
提示
当输入信号较小时,一般采用加衰减的方法,图2-23中电阻R1(5.1kΩ)和电阻R2(51Ω)组成衰减器。例如,在us端输入100mV 经衰减后ui端输出1mV。当ui为1mV、2mV、3mV 时,采用衰减输入法;当ui为4mV、5mV 时,可直接输入,也可用衰减输入法。
(4)保持步骤(2),接入f=1kHz、ui=2mV 的正弦交流信号,放大电路不接负载(RL=∞)和接入负载RL(5.1kΩ),改变RC数值的情况下测量,并将计算结果填入表2-4中。
表2-4 测量结果
(5)输入电阻测量:在输入端串接5.1kΩ 电阻,如图2-24 所示,输入电阻测量(即将图2-23中的51Ω 的电阻去掉),接入f=1kHz、幅值为100mV 的正弦波信号us,用示波器观察输入ui波形,并将所测数据及计算结果填入表2-5中。
图2-24 输入电阻测量
表2-5 测量数据及计算结果
图2-25 输出电阻测量
表2-6 测量数据及计算结果
结论:输出电阻的大小与集电极电阻RC________________(有关/无关)。
合理的、稳定的静态工作点是三极管放大电路能够正常工作的基础。在设计电路时通过调整电路参数,总可以确定一个合适的静态工作点,使放大电路正常工作,不产生失真。但在实际工作中,可以发现随着三极管工作时间的延长或其他因素的影响,输出信号会出现失真。
一、静态工作点稳定的必要性
通过前述任务的实施可以看出,静态工作点不但决定了电路是否会产生失真,而且还影响着电压放大倍数、输入电阻等动态参数。实际上,电源电压的波动、元件的老化及因温度变化所引起晶体管参数的变化,都会造成静态工作点的不稳定,从而使动态参数不稳定,有时电路甚至无法正常工作。在引起Q 点不稳定的诸多因素中,温度对晶体管参数的影响是最为主要的。
当环境温度升高时,晶体管的电流放大系数β 将增大,穿透电流ICEO将增大,当b-e间电压不变时基极电流也将增大,这一切集中地表现为温度升高时集电极电流明显增大;在共射放大电路中晶体管的管压降UCE将减小,Q 点将沿直流负载线上移,向饱和区变化;反之,当温度降低时,Q 点将沿直流负载线下移,向截止区变化。图2-26中,实线为晶体管在20℃时的输出特性曲线,虚线为40℃时的输出特性曲线。由于温度升高,静态工作点从Q 移到Q′,从而工作点向饱和区移动,因此电路可能产生饱和失真,使放大电路工作不正常。
图2-26 晶体管在不同环境温度下的输出特性曲线
二、稳定静态工作点的电路
(一)电路的组成及工作点稳定的原理
显然,要想使静态工作点重新回到原来位置,只要在温度升高时适当地减小基极电流IB即可。由此可知,所谓稳定Q 点,是指在环境温度变化时静态集电极电流ICQ和管压降UCEQ基本不变,即Q 点在晶体管输出特性坐标平面中的位置基本不变。因此,必然依靠IBQ的变化来抵消ICQ和UCEQ的变化,常用引入直流负反馈或温度补偿的方法使IBQ在温度变化时产生与ICQ相反的变化。
典型的稳定静态工作点电路如图2-27所示,因发射极接了一个设计电阻Re,该电路称为分压式射极偏置电路。图2-27(a)所示为直接耦合方式,图2-27(b)所示为阻容耦合方式。它们具有相同的直流通路,如图2-27(c)所示。
图2-27 稳定静态工作点电路
为了使静态工作点稳定,必须使UBQ基本不变。电路中,当Rb1和Rb2选定后,若满足I1≫IBQ,则B 点电位将仅决定于Rb1与Rb2对VCC的分压,而与环境温度无关,即当温度变化时,UBQ基本不变。
当温度升高时,集电极电流IC增大,发射极电流IE必然相应增大,因而发射极电阻Re上的电压UE(即发射极的电位)随之增大;因为UBQ基本不变,而UBE=UB-UE,所以UBE势必减小,导致基极电流IB减小,IC随之相应减小。结果,IC随温度升高而增大的部分几乎被由于IB减小而减小的部分相抵消,IC将基本不变,UCE也将基本不变,从而Q 点在晶体管输出特性坐标平面上的位置基本不变。可将上述过程简写为
当温度降低时,各物理量向相反方向变化,IC和UCE也将基本不变。
不难看出,在稳定的过程中,Re起着重要作用,当晶体管的输出回路电流IC变化时,通过发射极电阻Re上产生电压的变化来影响b-e间电压,从而使IB向相反方向变化,达到稳定Q 点的目的。这种将输出量(IC)通过一定的方式(利用Re将IC的变化转换成电压的变化)引回到输入回路来影响输入量(UBE)的措施称为反馈。由于反馈的结果使输出量的变化减小,因此称为负反馈;由于反馈出现在直流通路中,因此称为直流负反馈。Re为负反馈电阻。
由此可知,图2-27(c)所示电路稳定Q 点的原因有以下两点。
(1)Re的直流负反馈作用。
(2)在I1≫IBQ的情况下,UBQ在温度变化时基本不变。
所以也将这种电路称为分压式电流负反馈Q 点稳定电路。从理论上讲,Re越大,反馈越强,Q 点越稳定。
(二)静态工作点的估算
静态分析时,先画出直流通路,如图2-27(c)所示,已知I1≫IBQ,
发射级电流为
由于ICQ≈IEQ,管压降为
基极电流为
(三)静态工作点稳定的条件
在上述讨论中,可以总结出实现工作点稳定的两个条件。
(1)只有I1≫IBQ时,才 有UBQ=
图2-28 静态工作点稳定电路直流通路等效电路
其中
列输入回路方程
可得出IEQ,即
(2)UBQ太大时必然导致UEQ太大,使UCE减小,从而减小了放大电路的动态工作范围。因此,UBQ不能选得太大,一般为
(四)动态参数的估算
动态分析首先画出电路的微变等效电路图,如图2-29所示,分别画出了有旁路电容Ce和无旁路电容的情况。参照固定偏置放大电路的分析,可以很容易求得
图2-29 阻容耦合Q 点稳定电路的微变等效电路
倘若没有旁路电容Ce,则由图2-29所示的微变等效电路可知,
所以,
若(1+β)Re≫rbe,且β≫1,则
(五)实例分析与计算
【例2-2】在图2-30所示的电路中,已知VCC=12V,Rb1=5kΩ,Rb2=15kΩ,Re=2.3kΩ,Rc=5.1kΩ,RL=5.1kΩ;晶体管的β=50,rbe=1.5kΩ,UBEQ=0.7V。
(1)估算静态工作点Q。
(2)分别求出有、无Ce两种情况下的Au和Ri。
(3)若Rb1因虚焊而开路,则电路会产生什么现象?(www.xing528.com)
解:(1)求解Q 点。因为(1+β)Re≫Rb,所以
当无Ce时,由于(1+β)(Re≫Rb),且β≫1,因此
当无Ce时,电路的电压放大能力很差,因此在实用电路中常将Re分为两部分,只将其中一部分接旁路电容。
(3)若Rb1开路,则电路如图2-30所示。设电路中晶体管仍工作在放大状态,则基极电流和集电极电流(也约为发射极电流)分别为
图2-30 例2-2电路图
管压降为
UCEQ≈VCC-ICQ(Rc+Re)= [12-4.5×(5.1+2.3)]V=-21.3V
上式表明,原假设不成立,晶体管已经不工作在放大区,而进入饱和区,动态分析已无意义。
若晶体管饱和压降UCES=UBEQ=0.7V,则晶体管的发射极电位和集电极电位分别近似为
UCQ=UEQ+UCES=(3.52+0.7)V=4.22V
三、共基极放大电路的组成与分析
共基极放大电路主要应用于高频电子技术中,在低频电压放大电路中不采用此电路,所以在此只做简单介绍。
(一)共基极放大电路的组成
图2-31(a)所示为共基极基本放大电路,图2-31(b)所示为其另一种画法。
图2-31 共基极基本放大电路
输入电压ui加于发射极和基极之间,输出电压从集电极和基极之间取出,基极为输入和输出回路的公共端,所以称为共基极放大电路。这一点可从图2-32(a)的交流通路中看得更明显。
(二)静态分析
画直流通路,如图2-32所示。与分压式射极偏置电路相同,静态工作点的计算方法同前。
图2-32 共基极基本放大电路的直流通路
(三)动态分析
画共基极放大电路的交流通路和微变等效电路,如图2-33所示。由图2-33(b)所示的微变等效电路可以计算出共基极放大电路的性能指标为
由以上几个动态指标可知,共基极放大电路的电压放大倍数较大,输出和输入电压相位相同;输入电阻较小,输出电阻较大。由于共基极放大电路的输入电流为发射极电流,输出电流为集电极电流,电流放大倍数为β/(1+β),小于1且近似为1,因此共基极电流又称为电流跟随器。
图2-33 共基极放大电路的交流通路及微变等效电路
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