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如何测试GMM的倍频特性?

时间:2023-06-30 理论教育 版权反馈
【摘要】:图2-6GMM的倍频现象磁场强度较低时,磁致伸缩应变较小;磁场强度达到中等时,磁致伸缩应变与磁场强度基本呈线性关系;磁场强度达到高磁场时,磁致伸缩应变逐渐变小,达到饱和磁致伸缩状态。驱动信号为正弦波、锯齿波等交变信号时,激励线圈产生交变磁场,需设置偏置磁场来避免倍频现象,同时还能提高GMM的磁致伸缩系数。

如何测试GMM的倍频特性?

由于GMM的输出位移应变与磁场方向无关,即GMM在激励磁场的正负两个方向上都表现出伸长性能,由激励线圈输入交变磁场时,磁致伸缩应变频率是交变磁场频率的2倍,这就是倍频现象,如图2-6中实线所示。为了解决这一问题,通常设置一个偏置磁场,GMM磁场强度为激励线圈磁场和偏置磁场强度之和,通过设置合适的偏置磁场,使GMM磁场方向始终保持为正(负),从而避免倍频现象,如图2-6中虚线所示。

图2-6 GMM的倍频现象

磁场强度较低时,磁致伸缩应变较小(图2-6中的ab段);磁场强度达到中等时,磁致伸缩应变与磁场强度基本呈线性关系(图2-6中的bc段);磁场强度达到高磁场时,磁致伸缩应变逐渐变小,达到饱和磁致伸缩状态(图2-6中的cd段)。通过施加偏置磁场,可以使GMM工作在线性增长区域,发挥GMM的最佳输出性能。偏置磁场的大小应适中,偏置磁场强度过小,不能抵消激励线圈磁场强度的负值,达不到磁场偏置的目的;偏置磁场强度过大,很小的激励线圈交变磁场就能使GMM达到饱和磁场强度,减小了磁致伸缩应变的变化范围,降低了GMM的输出性能。偏置磁场的大小应为应变曲线线性段中点处对应的磁场强度(图2-6中点H B),此时激励线圈产生交变磁场时,应变在以H B点为中心的线性区域内变化,能发挥GMM的最佳输出性能。

常用的偏置磁场的施加方式主要有两种:一种是通过偏置线圈提供偏置磁场,另一种是通过永磁体施加偏置磁场。线圈偏置磁场简单方便,通过调整线圈电流大小就可以改变偏置磁场强度,便于控制,但激励线圈和偏置线圈之间会产生互感,相互干扰,同时还会增大致动器的整体尺寸。随着永磁材料和制备工艺的发展,稀土永磁材料的磁能积不断提高,可以提供足够强度的偏置磁场,而且永磁材料对驱动线圈影响很小,工作状态稳定,所需空间小,成为偏置磁场的主要施加方式。永磁体偏置磁场常见的设置方式主要有两种,一种是套在GMM棒外部的筒式永磁体偏置[145],这种形式磁场强度较为均匀,但难以提供较大的偏置磁场,而且所需安装空间大;另一种是置于GMM棒两端的片式永磁体偏置[146],这种结构的最大优点是结构简单,占用空间小,其缺点是磁场的均匀度较差。(www.xing528.com)

受限于安装空间,本书采用在GMM棒两端设置永磁体的形式来提供偏置磁场,永磁体材料为钕铁硼(Nd2 Fe14 B),尺寸为φ3 mm×2 mm。驱动信号为1 Hz的正弦信号时,分别在有偏置磁场和无偏置磁场两种情况下,输入相同的交变磁场,GMM棒(φ3 mm×20 mm)的输出位移曲线如图2-7所示。从图2-7可以看出,无偏置磁场时,输出频率为2 Hz,出现了倍频现象;有偏置磁场时,输出频率为1 Hz,与输入频率相同。从图2-7还可以看出,有偏置磁场的输出位移是无偏置磁场的2倍多,这表明在相同条件下,施加较小的交变磁场就可以充分发挥GMM的输出性能,达到饱和磁致伸缩时所需的磁场强度小,能量消耗小,对减小激励线圈和致动器尺寸有重要的意义。

图2-7 有偏置磁场和无偏置磁场的输出位移

驱动信号为正方波信号时,GMM磁场强度始终为正,不需要设置偏置磁场。驱动信号为正弦波、锯齿波等交变信号时,激励线圈产生交变磁场,需设置偏置磁场来避免倍频现象,同时还能提高GMM的磁致伸缩系数。

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