半导体覆层失效的根本原因与制造质量不良有关

半导体覆层失效故障的根本原因是制造质量不良，既包括施加覆层的生产过程，也包括定期进行的确保覆层电阻值适宜的试验过程。人们普遍认为，当局部覆层表面电阻值过高时，上述过程就开始了。这可能是因为该局部的石墨颗粒密度太低。如果局部覆层阻值较高的线圈正好处于相出线端，电容电流将从铜导体开始，穿过主绝缘，经半导体覆层再到铁心。由于半导体覆层在线圈顶部和底部的窄面（即线圈截面的窄面）以及在通风道部位不能直接接触到铁心，一部分电容电流必定还要并联到线棒或线圈的表面，如果覆层电阻值较高，沿侧面流动的电流会产生些许I²R损耗，使覆层这些部位的局部温度升高。该温升加上线圈运行温度，会导致半导体覆层氧化，又会进一步使其电阻值增加，从而使问题更趋恶化。另外，在局部半导体覆层电阻值无穷大的部位（即石墨颗粒密度低于具有导电性的临界值），即使是不到1cm直径的小斑点，也可能发生PD，正如第1.4.5节所述。

这种问题尤其可能发生在PWM电压源逆变器馈电的定子上^[9]。因为逆变器中开关频率典型值是1kHz或更高，穿过半导体覆层流动的电容电流将比50/60Hz正弦电压情况下大20倍以上。所增加的穿过覆层的电流也就以二次方关系增加了发热效应，于是急剧地增加了半导体覆层的劣化速度。

这个问题的另一种情况是，即使半导体覆层的电阻值恒定并且合格（典型值是表面电阻每平方500～5000Ω），在某些制造过程中，恰好在半导体覆层下面，位于主绝缘和半导体覆层之间，可能存在微小气隙。若该线圈处于相出线端，这些空隙中会产生局部放电，而PD会腐蚀半导体覆层，增加其电阻，最终会发展到上述的覆层劣化阶段。(www.xing528.com)

在这些劣化发展过程中，半导体覆层逐渐变得不导电，而且沿着表面逐步扩展。当无穷大阻值面积扩大时，就会发生局部放电，并逐步破坏覆层下面的主绝缘。