根据前面介绍的结果，微观组织和断面形貌的不同与键合时间关系不大。图10.14和图10.15给出了键合压力对接头微观组织的显著影响。在较小的压力作用下，如图10.14所示，在每个温度下的烧结Ag层中发现了微观空洞。但是，在较高压力条件下，如图10.15所示，空洞减少或消失，烧结Ag层密度增加，如图10.16
图10.14 不同键合温度下，Cu/Ag接头的BE图像
（键合时间为300s，键合压力为1MPa）
图10.15 不同键合温度下，Cu/Ag接头的BE图像
（键合时间为300s，键合压力为5MPa）
图10.16 不同键合温度下，Cu-Cu接头断面的SEM图像
（键合时间为300s，键合压力为1MPa）(www.xing528.com)
图10.17 不同键合温度下，Cu-Cu接头断面的SEM图像
（键合时间为300s，键合压力为5MPa）
和图10.17所示。随着键合压力的增加，断裂路径从Ag/Cu界面改变到烧结Ag层。这些结果表明，Ag层和Ag/Cu界面的强度都提高了，而且在高压条件下，Ag/Cu界面的强度超过了烧结Ag层的强度。
图10.18 图10.16b中区域A断口详貌和EDX图谱
键合温度对烧结Ag层微观组织的影响不明显，但当压力为1MPa时，断面形貌受温度影响。图10.18给出了图10.16b中区域A的高放大倍数图像，以及A点和B点的EDX图谱。图10.19给出了图10.16b中区域B的高放大倍数图像，以及C点和D点的EDX图谱。区域A中，在Cu侧发现了Ag，断裂Ag层被拉长和变形。因此可以判断断裂在Ag/Cu界面的烧结Ag层中扩展。但是区域B显示，Cu侧没有Ag，断面上也没有发现塑性变形（如图10.19所示），可以判断该区域中Ag/Cu界面强度不足。另外，烧结Ag侧检测到Cu（如图10.19c所示）可能是由于Cu氧化造成的。这表明界面仍残留Cu氧化膜，该区域中没有实现Ag和Cu的冶金连接。在260℃低温下键合接头断面中，区域A面积减少，如图10.16a所示；相反，高温下键合接头中有所增加，如图10.16c所示。结果表明，Ag/Cu界面强度随着温度升高而增强，而且这种效果要远远比低压键合条件突出。相比于键合时间，键合温度升高能够更有效地促进有机外壳的分解。因此，键合压力和键合温度是改善复合Ag纳米颗粒对Cu可键合性能的主控参数。
图10.19 图10.16b中区域B断口详貌和EDX图谱
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