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如何优化HCPL-316J驱动模块?

时间:2023-06-29 理论教育 版权反馈
【摘要】:图4-64 HCPL-316J的内部结构图若VIN+正常输入,14脚没有过流信号,且VCC2-VE=12V,即输出正向驱动电压,驱动信号输出高电平,故障信号和欠压信号输出低电平。图4-65 HCPL-316J应用电路在输出端,R5和C7关系到IGBT开通的快慢和开关损耗,增加C7可以明显地减小dic/dt。

如何优化HCPL-316J驱动模块?

1.HCPL-316J驱动模块的外部引脚及工作原理

HCPL-316J驱动模块的外部引脚如图4-63所示,各引脚功能如下:

1脚(VIN+)为正向信号输入端。

2脚(VIN-)为反向信号输入端。

3脚(VCC1)为输入电源端。

4脚(GND)为输入端的地端。

5脚978-7-111-44521-0-Chapter04-99.jpg

芯片复位输入端。

6脚978-7-111-44521-0-Chapter04-100.jpg为故障输出,当发生故障(输出正向电压欠压或IGBT短路)时,通过光耦合器输出故障信号。

7脚(VLED1+)为光耦合器测试引脚。

8脚(VLED1-)为接地端。

9脚,10脚(VEE)给IGBT提供反向偏置电压端。

11脚(VOUT)为驱动信号输出端。

12脚(VC)为三级达林顿管集电极电源端。

13脚(VCC2)为驱动电压源端。

14脚(DESAT)为IGBT短路电流检测端。

15脚(VLED2+)为光耦合器测试引脚。

16脚(VE)为输出基准地端。

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图4-63 HCPL-316J的外部引脚图

HCPL-316J的内部结构如图4-64所示,从图4-64可以看出,HCPL-316J可分为输入IC(左边)和输出IC(右边)两部分。

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图4-64 HCPL-316J的内部结构图(www.xing528.com)

若VIN+正常输入,14脚没有过流信号,且VCC2-VE=12V,即输出正向驱动电压,驱动信号输出高电平,故障信号和欠压信号输出低电平。首先3路信号共同输入到JP3,D点低电平,B点也为低电平,50×DMOS处于关断状态。此时JP1输入的4个状态从上至下依次为低、高、低、低,A点高电平,驱动三级达林顿管导通,IGBT也随之开通。

若IGBT出现过电流信号(脚14检测到IGBT集电极上电压;7V),而输入驱动信号继续加在脚1,欠电压信号为低电平,B点输出低电平,三级达林顿管被关断,1×DMOS导通,IGBT栅-射、栅-集之间的电压慢慢降低,实现慢降栅压。当VOUT=2V时,即VOUT输出低电平,C点变为低电平,B点为高电平,50×DMOS导通,IGBT栅射集迅速放电。故障线上信号通过光耦合器,再经过RS触发器,Q输出高电平,使输入光耦合器被封锁。同理可以分析只欠电压情况和即欠电压又过电流情况。

2.驱动电路设计

HCPL-316J左边的VIN+、978-7-111-44521-0-Chapter04-103.jpg978-7-111-44521-0-Chapter04-104.jpg分别与微机相连。R7R8R9,VD5,VD6和C12起输入保护作用,防止过高的输入电压损坏IGBT,但是保护电路会产生约1μs延时,在开关频率超过100kHz时不适合使用。V3最主要起互锁作用,当两路PWM信号(同一桥臂)都为高电平时,Q3导通,把输入电平拉低,使输出端也为低电平。在图4-65中的互锁信号Interlock和Interlock2分别与另外一个HCPL-316J的Interlock2和Interlock1相连。R1C2起到了对故障信号的放大和滤波,当有干扰信号后,能让微机正确接受信息。

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图4-65 HCPL-316J应用电路

在输出端,R5C7关系到IGBT开通的快慢和开关损耗,增加C7可以明显地减小dic/dt。首先计算栅极电阻:其中ION为开通时注入IGBT的栅极电流。为使IGBT迅速开通,设计IONMAX值为20A。输出低电平VOL=2V。可得

t=C3×V/I=100pF×(7-2×0.6)V/250μA=2.32μs

C3是一个非常重要的参数,最主要起充电延时作用。当系统启动,芯片开始工作时,由于IGBT的集电极C端电压还远大于7V,若没有C3,则会错误地发出短路故障信号,使输出直接关断。当芯片正常工作以后,假使集电极电压瞬间升高,之后立刻恢复正常,若没有C3,则也会发出错误的故障信号,使IGBT误关断。但是,C3的取值过大会使系统反应变慢,而且在饱和情况下,也可能使IGBT在延时时间内就被烧坏,起不到正确的保护作用,C3取值100pF。

在集电极检测电路用两个二极管串联,能够提高总体的反向耐压,从而能够提高驱动电压等级,但二极管的反向恢复时间要很小,且每个反向耐压等级要为1000V,一般选取BYV261E,反向恢复时间75ns。R4C5的作用是保留HCLP-316J出现过流信号后具有的软关断特性,其原理是C5通过内部MOSFET的放电来实现软关断。图4-65中的输出电压VOUT经过两个快速三极管推挽输出,使驱动电流最大能达到20A,能够快速驱动1700V、200~300A的IGBT。

3.驱动电源设计

在驱动设计中,稳定的电源是IGBT能正常工作的保证,正激驱动电源如图4-66所示。电源采用正激变换,抗干扰能力较强,副边不加滤波电感输入阻抗低,使在重负载情况下电源输出电压仍然比较稳定。

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图4-66 正激驱动电源

当V开通时,+12V(为比较稳定的电源,精度很高)电压便加到变压器一次侧和V相连的绕组,通过能量耦合使副边经过整流输出。当V关断时,通过原边二极管和其相连的绕组把磁心的能量回馈到电源,实现变压器磁心的复位。555定时器接成多谐振荡器,通过对C1的充放电使脚2和脚6的电位在4~8V之间变换,使脚3输出电压方波信号,并用方波信号来控制V的开通和关断。+12V经过R1,VD2给C1充电,其充电时间t1R1×C2 ln2;放电时间t2=R2×C1 ln2,充电时输出高电平,放电时输出低电平。所以占空比t1/(t1+t2)。

变压器按下述参数进行设计:一次侧接+12V,频率为60kHz,工作磁感应强度BW为0.15T,二次侧+15V输出2A,-5V输出1A,效率η=80%,窗口填充系数Km为0.55,磁心填充系数KC为1,线圈导线电流密度d为3A/mm2。则输出功率

PT=(15+0.6)×2×2+(5+0.6)×1×2=73.6W

变压器磁心参数

AP=AC×AW×=PT×106/(2×η×f×BW×d×Km×KC

=73.6×106/(2×0.8×60×103×1500×3×0.5×1)=0.341cm2

所以,选择EE系列的E25磁心,并可查到AP=0.445mm2。原边匝数nP=Vin×ton×108/(BWAC)=15匝,其中取ton为最大导通时间。二次侧+15V绕组匝数为nP×V01/Vin=19匝,二次侧-5V绕组匝数为nP×V02/Vin=7匝,由于带载后驱动电源输出电压会有所下降,所以,在实际应用中考虑提高频率和占空比来稳定输出电压。

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