目前,大电流高电压的IGBT已模块化,为满足大电流高电压的IGBT模块对驱动电路的技术要求,现已研制生产出集成化的IGBT专用驱动电路,具有集成化程度高、技术性能指标高,单元电路可靠性高和体积小等特点。目前IGBT模块已广泛地应用于小体积,低噪声,高特性的开关电源、逆变器,不间断电源(UPS)以及电机速度控制装置中。EXB系列集成驱动器是结合IGBT模块的特点而研制和开发的专用集成驱动器。EXB850/851为标准型,其最大工作频率为10kHz,EXB840/841是高速型,其最大工作频率为40kHz。由于EXB系列驱动器采用具有高隔离电压的光耦合器做为信号隔离,因此能用于交流380V的动力设备上。
图4-40 EXB系列集成驱动器芯片
a)EXB850/851 b)EXB840/841
EXB系列集成驱动芯片是一种专用于IGBT的集驱动保护等功能于一体的复合集成电路。图4-40给出了EXB系列集成驱动器芯片的功能方框图。
1.EXB系列集成驱动器特点
EXB系列集成驱动器的特点有
1)EXB85系列的最大工作频率为10kHz,EXB84系列的最大工作频率为40kHz,适用于全部IGBT模块产品范围。
2)内置用于高隔离电压的光耦合器,可承受2500V交流电压1min。
3)单供电源工作。
4)内置过电流保护电路,并可输出过电流保护信号。
5)采用高密度的SIL封装。
EXB系列集成驱动器技术参数见表4-18。
表4-18 EXB系列集成驱动器技术参数
使用不同型号的EXB系列集成驱动器,可以达到驱动电流高达400A,电压高达1200V的各种型号的IGBT。由于驱动电路的信号延迟时间分为两种:标准型(EXB850、EXB851)不长于4μs,高速型(EXB840、EXB841)不长于1μs,所以标准型的IC适用于频率高达10kHz的开关工作,而高速型的IC适用于频率高达40kHz的开关工作。EXB系列集成驱动器的引脚功能见表4-19。
表4-19 EXB系列集成驱动器的引脚功能
EXB系列集成驱动器的额定参数和特性[绝对最大额定值(Ta=25℃)]见表4-20。
表4-20 EXB系列集成驱动器的额定参数和特性
EXB系列集成驱动器的推荐的运行条件见表4-21。
表4-21 EXB系列集成驱动器的推荐的运行条件
EXB系列集成驱动器的推荐的电特性(Ta=25℃)见表4-22。
表4-22 EXB系列集成驱动器的推荐的电特性
注:EXB850和EXB851(中速)需应用电路所示的IF过驱动。
EXB系列集成驱动器的使用特点有
1)EXB系列集成驱动器是通过检测IGBT在导通过程中的饱和压降VCE来实施对IGBT的过电流保护的。对于IGBT的过电流处理完全由驱动芯片自身完成,对于电机驱动用的三相逆变器实现无跳闸控制有较大的帮助。
2)EXB系列集成驱动器对IGBT过电流保护的处理采用了软关断方式,因此主电路的dv/dt比硬关断时小了许多,这对IGBT的使用较为有利,是值得重视的一个优点。
3)EXB系列集成驱动器内集成了功率放大电路,这在一定程度上提高了驱动电路的抗干扰能力。
4)EXB系列集成驱动器最大只能驱动1200V/300A的IGBT,并且它本身并不提倡外加功率放大电路,该类芯片为单电源供电,IGBT的关断负电压信号是由芯片内部产生的-5V信号,容易受到外部的干扰。因此对于300A以上的IGBT或者IGBT并联时,就需要考虑其他驱动芯片。
由于EXB系列集成驱动器内部具备过电流保护功能,当IGBT过电流时,采用了软关断方式关断IGBT,所以IGBT中电流是一个较缓的斜坡下降,这样一来,IGBT关断时的di/dt明显减少,这在一定程度上减小了对控制电路的过电流保护性能的要求。在应用电路的设计中,应注意以下几个方面的问题:
1)IGBT栅-射极驱动电路接线必须小于1m。
2)IGBT栅-射极驱动电路接线应为双绞线。
3)若要抑制IGBT集电极产生大的电压尖脉冲,增加IGBT栅极串联电阻(RG)即可。
4)应用电路中的电容C1和C2取值相同,对于EXB850和EXB840来说,取值为33μF,对于EXB851和EXB841来说,取值为47μF。该电容用来吸收由电源接线阻抗而引起的供电电压变化。它不是电源滤波器电容。
2.EXB841工作原理
EXB841的原理图如图4-41所示,EXB841内部集成了放大单元、过电流保护单元和5V电压基准单元。放大单元由光耦合器IS01(TLP550)、V2、V4、V5和R1、C1、R2、R9组成,其中IS01起隔离作用,V2是中间级,V4和V5组成推挽输出级。
图4-41 EXB841的原理图
过电流保护单元由V1、V3、VD6、VS1和C2、R3、R4、R5、R6、C3、R7、R8、C4等组成,实现过电流检测和延时保护功能。EXB841的6脚通过快速二极管VD7接至IGBT的集电极,它是通过检测电压VCE的高低来判断是否发生短路。5V电压基准单元由R10、VS2和C5组成,为驱动IGBT提供-5V反偏压,同时也为输入光耦合器IS01提供电源。
(1)正常开通过程
当控制电路使EXB841输入端脚14和脚15有10mA的电流流过时,光耦合器IS01就会导通,A点电位迅速下降至0V,使V1和V2截止;V2截止使D点电位上升至20V,V4导通,V5截止,EXB841通过V4及栅极电阻RG向IGBT提供电流使其迅速导通,VC下降至3V。与此同时,V1截止使+20V电源通R3向电容C2充电,时间常数τ1为(www.xing528.com)
τ1=R3×C2=2.42μs (4-6)
又使B点电位上升,它由0升到13V的时间可用下式求得:
t13=20(1-e)-t/τ1 (4-7)
t=2.54μs
IGBT延迟约1μs后导通,VCE下降至3V,从而将EXB841的脚6电位钳制在8V左右,因此B点和C点电位不会上升到13V,而是上升到8V左右,这个过程时间为1.24μs;因稳压管VS1的稳压值为13V,IGBT正常开通时不会被击穿,V3不通,E点电位仍为20V左右,二极管VD6截止,不影响V4和V5的正常工作。
(2)正常关断过程
当控制电路使EXB841输入端脚14和脚15无电流流过,光耦合器IS01不通,A点电位上升使V1和V2导通;V2导通使V4截止,V5导通,IGBT栅极电荷通过V5迅速放电,使EXB841的脚3电位迅速下降至0V(相对于的EXB841脚1低5V),使IGBT可靠关断,VCE迅速上升,使EXB841的脚6“悬空”。与此同时V1导通,C2通过V1更快放电,将B点和C点电位钳在0V,使VS1不被击穿,IGBT正常关断。
(3)保护动作
若IGBT已正常导通,则V1和V2截止,V4导通,V5截止,B点和C点电位稳定在8V左右,VS1不被击穿,V3不导通,E点电位保持为20V,二极管VD6截止。若此时发生短路,IGBT承受大电流而退饱和,VCE上升很多,二极管VD7截止,则EXB841的脚6悬空,B点和C点电位开始由8V上升;当上升至13V时,VS1被击穿,V3导通,C4通过R7和V3放电,E点电位逐步下降,二极管VD6导通时D点电位也逐步下降,从而使EXB841的脚3电位也逐步下降,缓慢关断IGBT。B点和C点电位由8V上升到13V的时间可用下式求得
t13=20(1-e)-t/τ1-8e-t/τ1 (4-8)
t=1.3μs
C4与R7组成的放电时间常数为
T2=C4×R7=4.84μs
E点由20V下降到3.6V的时间可用下式求得
t3.6=20e-t/τ2 (4-9)
t=8.3μs
此时慢关断过程结束,IGBT栅极上所受偏压为0V(设V3管压降为0.3V,V6和V5的压降为0.7V),这种状态一直持续到控制信号使光耦合器TS01截止,此时V1和V2导通,V2导通使D点下降到0V,从而V4完全截止,V5完全导通,IGBT栅极所受偏压由慢关断时的0V迅速下降到-5V,IGBT完全关断。V1导通使C2迅速放电、V3截止,20V电源通过R8对C4充电,RC充电时间常数为
T3=C4×R8=48.4μs
则E点由3.6V充至19V的时间可用下式求得:
t19=20(1-e)-t/τ3+3.6e-t/τ3 (4-10)
t=135μs
则E点恢复到正常状态需135μs,至此EXB841完全恢复到正常状态,可以进行正常的驱动。EXB841在设计上充分考虑到IGBT的特点,电路简单实用,具有如下特点:
1)模块仅需单电源(+20V)供电,它通过内部5V稳压管为IGBT提供了+15V和-5V的电平,既满足了IGBT的驱动条件,又简化了电路,为整个系统设计提供了很大方便。
2)输入采用高速光耦合器隔离电路,既满足了隔离和快速的要求,又在很大程度上使电路结构简化。
3)通过精心设计,将过流时降低VGE与慢关断技术综合考虑,一旦电路检测到短路后,要延迟约1.5μs(VS1导通时,R4会有压降)VGE才开始降低,再过约8μs后VGE才降低到0V(相对EXB841的1脚)。在这10μs左右的时间内,如果短路现象消失,VGE会逐步恢复到正常值,但恢复时间决定于时间常数t3。
3.EXB系列驱动器的内部电路功能
EXB系列驱动器的内部电路功能有
1)信号隔离电路。EXB系列驱动器采用高隔离电压的光耦合器用作信号隔离,因此可用于AC480V的动力电气设备上。因为驱动电路信号延迟依赖于光耦合器的特性,所以应按照EXB系列驱动器的规格来选择高速或通用光耦合器。
2)过电流检测器。IGBT模块通常只能承受10μs的短路电流,所以必须具有快速的短路电流保护电路。EXB系列驱动器内设有电流保护电路,是根据驱动信号与集电极之间的关系检测过电电流,其检测电路如图4-42所示。
图4-42 EXB系列驱动器的检测电路
3)低速过电流关断电路。作为对过电流的响应,当以正常驱动速度关断过流时,IGBT产生的集电极电压尖脉冲足以损坏IGBT模块。低速过电流关断电路可保护IGBT模块不被损坏(低速切断电路对于≤10μs期间的过电流保护不动作),IGBT关断时的集电极波形如图4-43所示;
4)栅关断电源。IGBT模块需要一个+15V开栅电压以获得一个低开启电压,还需要一个-5V关栅电压,以防止关断时的误动作。开栅电压和关栅电压(+15V和-5V)均可由20V供电的驱动器内部电路产生,如图4-44所示。
图4-43 IGBT关断时的集电极波形
EXB系列驱动器为提高抗干扰性能,其输入电路与输出电路的接线端子是分开,如图4-45所示。输入电路(光耦合器)接线端子远离输出电路的接线端子,以保证有适当的绝缘强度和高的噪声阻抗。EXB系列驱动器在推荐的工作条件下使用,应注意以下事项:
图4-44 20V供电的驱动器内部电路
图4-45 输入电路与输出电路分开示意图
1)驱动器输出过高的驱动电压会损坏IGBT,而其输出驱动电压过低将使IGBT不能正常的导通。
2)过大的输入电流会增加驱动电路的信号延迟时间,过小的输入电流会引起驱动电路工作不稳定。
3)IGBT的栅极电阻若选择不当,将增加IGBT和续流二极管的开关噪声。
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