厚膜驱动器集成电路M57957L/M57958L详解

图4-10 M57957L/M57958L的引脚排列示图

1.内部结构及工作原理

M57957L/M57958L均采用单列直插式标准8脚厚膜集成电路封装。其外形和引脚排列如图4-10所示，各引脚的名称、功能及用法见表4-3。

表4-3 M57957L引脚功能

M57957L/M57958L的内部结构和工作原理如图4-11所示，由图4-11可知，M57957L/M57958L的内部集成有光耦合器、接口及功放单元。其工作原理为来自脉冲形成单元的驱动信号为高电平时光耦合器导通，接口电路把该信号整形后由功放级的两级达林顿NPN晶体管放大后输出，驱动IGBT导通。在驱动信号为低电平时光耦合器截止，此时接口电路输出亦为低电平，功放输出级PNP晶体管导通，给被驱动的IGBT栅极、发射极间施加以反向电压，使被驱动功率IGBT恢复关断状态。

图4-11 M57957L/M57958L的内部结构及工作原理图

2.主要设计特点、极限参数、电参数及推荐工作条件

（1）主要设计特点

M57957L/M57958L的主要设计特点有：

1）功耗较小，可以采用密集型的单列直插式厚膜电路封装。

2）单电源工作，供电极为简化。

3）外接串联电阻可输入CMOS信号，输入信号与TTL电平兼容。(www.xing528.com)

4）内置高速光耦合器，可隔离2500V、50Hz的交流电压。

（2）极限参数、电参数及推荐工作条件

M57957L/M57958L的极限工作参数见表4-4。

表4-4 M57957L/M57958L的极限参数（T_a=25°C）

（续）

M57957L与M57958L的电性能参数完全相同，其部分电气性能参数见表4-5。

表4-5 M57957L与M57958L的电性能参数（T_a=25°C、V_CC=15V、V_EE=-10V）

3.应用电路

M57957L/M57958L内部集成有可在输入与输出之间实现良好电气隔离的光电隔离器，所以可对被驱动的IGBT实现可靠的驱动。M57957L可用来直接驱动V_CES=600V系列的电流容量在200A以内的IGBT及V_CES=1200V系列的电流容量在100A以内的IG-BT；而M57958L可用来直接驱动V_CES=600V系列的电流容量在400A以内的IGBT及V_CES=1200V系列的电流容量在200A以内的IGBT。M57957L/M57958L的典型应用接线如图4-12所示。

图4-12 M57957L与M57958L的典型应用接线图