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IR系列IGBT模块:高效可靠的解决方案

时间:2023-06-29 理论教育 版权反馈
【摘要】:GA系列单开关型IGBT模块的内部接线方式如图3-11所示。图3-12 GA系列半桥、高端开关和低端开关型IGBT模块的内部接线图表3-2 GA系列IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块的性能参数(续)

IR系列IGBT模块:高效可靠的解决方案

国际整流器公司(IR)推出全新MTP隔离式开关模块系列,专为大电流工业电源而设计,适用于高频弧焊接电源及不间断电源(UPS)。新模块系列的额定电压为600V和1200V,把高速IGBT和优化的二极管结合在同一封装内,可取代分立式解决方案。该系列器件中的50MT060VLS是一款全绝缘斩波模块,内含一个IR超快IGBT和一个具有超软逆恢复电流特性的HEXFRED二极管。50MT060WH是一款全绝缘半桥式模块,内含成对的IR-WARP型IGBT和一个具有超软逆恢复电流特性的HEXFRED续流二极管。这种双IGBT设计可有效控制功率耗散和电流分配。

IR公司还提供两款1200VMTP开关模块,包括全绝缘的20MT120VF全桥式模块及40MT120VH半桥式模块,它们均内含额定电压为1200V的IGBT。这些1200V器件可直接连接到大多数三相系统的直流总线,半桥式模块还具有板上温度监控功能。

1.IGBT模块参数

IGBT模块型号、参数表示如图3-10所示,其中

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图3-10 IR公司IGBT模块型号、参数表示图

1)电流值:指集电极直流(连续)电流。

2)内部连接方式:T——桥臂连接;L——低端连接;H——高端连接;D——单管结构。

3)封装形式:A——A-A-pak;S——Int-A-pak;D——DVal-Int-A-pak。

4)电压量:指集电极-发射极电压值,电压量为集电极-发射极电压值×10(V)。

5)类型:V——超快速型;K——具有短路能力的超快速NPT型。

2.IGBT模块性能参数

(1)单开关型IGBT模块

GA系列单开关型IGBT模块的电气参数为VCES=600V、1200V、IC=200~800A、VISO=2500V(RMS),其性能参数见表3-1。GA系列单开关型IGBT模块的内部接线方式如图3-11所示。(www.xing528.com)

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图3-11 GA系列IGBT单开关型模块的内部接线图

表3-1 GA系列IGBT单开关型模块的性能参数

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(2)半桥、高端开关和低端开关型IGBT模块

GA系列半桥、高端开关和低端开关型IGBT模块的电气参数为:VCES=600V,1200V、IC=50~400A、VISO=2500V(RMS),其性能参数见表3-2。GA系列半桥、高端开关和低端开关型IGBT模块的内部接线如图3-12所示。

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图3-12 GA系列半桥、高端开关和低端开关型IGBT模块的内部接线图

表3-2 GA系列IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块的性能参数

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(续)

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