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电子基础知识:深入解析集电极反向截止电流及三相整流电路原理

时间:2023-06-29 理论教育 版权反馈
【摘要】:具体是指集电极-基极反向截止电流ICBO和集电极-发射极反向截止电流ICEO。三相整流电路用于需要大功率、大电流的设备中,一般的电子设备均采用单相整流电路。其中VT是起放大作用的器件;C1、C2是耦合电容;RB为基极电阻;RC为集电极电阻;RE为发射极电阻;EC为电源。

电子基础知识:深入解析集电极反向截止电流及三相整流电路原理

1.晶体二极管晶体管的主要参数及其极性判断

(1)晶体二极管和晶体管的主要参数

1)晶体二极管的主要参数:

①最大反向工作电压:是指二极管在使用时所能承受的最大反向电压值。如果超过此值,晶体二极管就容易被击穿。

②最大整流电流:是指二极管在正常工作时,允许通过的最大正向平均电流值。如果超过此值,二极管容易因发热而损坏。

③极间电容:主要是指PN结电容,即势垒电容CT和扩散电容CD,还有电极电容。一般极间电容都比较小,因此,在低频应用时,往往可以忽略,只有在高频应用时才予以考虑。

2)晶体管的主要参数:

①电流放大系数:它是反映晶体管电流放大能力的一个基本参数。

交流电流放大系数β是指当有输入信号时,在同一个集电极-发射极电压UCE下,集电极电流的变化量ΔIC与基极电流的变化量ΔIB的比值,即

β=ΔIC/ΔIB (1-21)

直流电流放大系数β是指无输入信号时,在同一个集电极-发射极电压UCE下,集电极电流IC与基极电流IB的比值,即

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②直流参数:它是评价晶体管工作稳定性的重要参数。具体是指集电极-基极反向截止电流ICBO和集电极-发射极反向截止电流ICEO

③极限参数:它包括集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许耗散功率PCM和反向击穿电压U(BR)CEO

(2)二极管极性判断 使用二极管时,首先要判定其管脚极性。有些二极管在管壳外面标有正负极性,或注有图形标记,箭头指向的一端为阴极。有些二极管可根据管子型号和结构形式来辨别。图1-14所示为二极管常见的封装形式及图形符号。如果遇到有些二极管没有任何标志,或没有手册可查,这时可以利用万用表来测量正反向电阻,判定其正负极,并粗略地检验其单向导电性能的好坏。

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图1-14 二极管常见的封装形式及图形符号

测量时,万用表的欧姆挡放在R×100或R×1k挡,将万用表的红表笔和黑表笔分别接到二极管的两个极,如图1-15a所示。此时,万用表指示的电阻值若大于几百千欧(硅管:指针基本不动,靠近∞位置;锗管:指针从左端起动一点,但不应超过满刻度的1/4),则表示二极管反向特性是好的。这时黑表笔一端连接为二极管阴极,红表笔连接一端为阳极。若测量时指针一直指在0位,则说明管子内部已短路。

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图1-15 判断二极管的极性

将红、黑两表笔对换接二极管的两个极,如图1-15b所示。万用表指示的电阻值若比较小(通常锗管为300~500Ω,硅管为1kΩ或更大些),则表示二极管为正向导通。这时黑表笔一端连接为二极管阳极,红表笔连接一端为阴极。若测量时正反向电阻均为无穷大,则说明二极管已经断路。

(3)晶体管极性判断 使用晶体管前同样需要知道管脚的极性,一般可根据管子的型号、结构和管子上的标记来判别。图1-16所示为晶体管常见的封装形式及图形符号。对没有任何标记的也可用万用表的欧姆挡进行测量,并放在R×100或R×1k挡。

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图1-16 晶体管常见的封装形式及图形符号

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图1-17 判断晶体管的极性

a)PNP型晶体管基极判断 b)NPN型晶体管基极判断 c)集电极和发射极的判断

1)基极和管型的判断:用红表笔搭接一个假定基极的管脚,用黑表笔分别搭接另外两个管脚。这样有三组(每组两次)读数,当其中一组两次测量的阻值均很小时,则红表笔端所连接的管脚为PNP型管子的基极,如图1-17a所示。

方法同上,但以黑表笔为准,用红表笔分别接另外两管脚。当其中一组两次测量的阻值均很小时,则黑表笔端所连接的管脚为NPN型管子的基极,如图1-17b所示。

2)集电极和发射极的判断:找出基极后,按图1-17c所示接法将万用表两表笔接到管子的另外两管脚,利用人体电阻实现偏置,看准指针位置,再将表笔对调,重复上述测试,比较两次指针位置。对于PNP型管子,阻值小的一次,红表笔所接的即为集电极;对于NPN型管子,阻值小的一次,黑表笔所接的即为集电极,剩下的一极为发射极。(www.xing528.com)

2.整流电路

变压器从电网上获得一定大小的交流电压,然后利用二极管的单向导电特性,将交流电压变换成脉动直流电压,再通过滤波电路,滤掉其中的脉动成分,从而得到比较平稳的直流电压。这个过程称为整流和滤波。

整流电路有三相整流电路和单相整流电路两种。三相整流电路用于需要大功率、大电流的设备中,一般的电子设备均采用单相整流电路。单相整流电路的类型见表1-1。

3.基本放大电路

(1)晶体管基本放大电路 这种放大电路有三种形式,分别是共发射极、共集电极和共基极放大电路,如图1-18所示。其中VT是起放大作用的器件;C1C2是耦合电容;RB为基极电阻;RC为集电极电阻;RE为发射极电阻;EC电源

1)共发射极放大电路具有电压放大倍数较高、电流放大倍数高、功率放大倍数高、频率特性在高频段较差等特点,一般应用在多级放大器的中间级和用于低频放大。

2)共集电极放大电路具有输入电阻高(一般在几十千欧以上)、输出电阻低(一般在几欧至几十欧)、电压放大倍数低、电流放大倍数高、功率放大倍数小、频率特性好等特点,一般应用于放大器的输入极、输出极或作阻抗匹配用。

3)共基极放大电路具有输入电阻低(一般为几欧至几十欧)、输出电阻高(一般为几十千欧至几百千欧)、电压放大倍数高、电流放大倍数低、功率放大倍数较小、频率特性好等特点,一般应用在高频或宽频带放大电路及恒流源电路中。

(2)集成运算放大电路 这种放大电路是由集成运算放大器和其他元器件组成的,它是一种具有深度负反馈的高增益的多级直流放大器,具有运算和放大功能。

1)基本集成运算放大电路:反相比例运算放大器和同相比例运算放大器,如图1-19所示。

反相放大器闭环增益为:Af=-Rf/R1;同相放大器闭环增益为:Af=1+Rf/R1

2)常用集成运算放大电路:加法运算放大器、减法运算放大器、积分运算放大器和微分运算放大器等,如图1-20和图1-21所示。

表1-l 单相整流电路的类型

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(续)

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图1-18 晶体管基本放大电路

a)共发射极 b)共集电极 c)共基极

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图1-19 基本集成运算放大电路

a)反相比例运算放大器 b)同相比例运算放大器

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图1-20 加法运算放大器与减法运算放大器电路

a)加法运算放大器 b)减法运算放大器

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图1-21 积分运算放大器与微分运算放大器电路

a)积分运算放大器 b)微分运算放大器

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