【摘要】：这种功率模块近年来发展很快，成为半导体器件的一支生力军。功率模块包括BJT达林顿模块、功率MOSFET模块、IGBT模块等，按速度和功耗又可分为高速型和低饱和压降型。这里以IGBT模块为例，介绍功率模块的结构。功率模块将许多独立的大功率BJT、MOSFET等集合在一起封装在一个外壳中，其电极与散热片相隔离，型号不同，电路多样化，便于应用。图5-15IGBT的等效电路及符号
这里所讨论的功率模块是指由若干BJT、MOSFET或BiFET（BJT-FET组合器件）组合而成的功率部件。这种功率模块近年来发展很快，成为半导体器件的一支生力军。它的突出特点是大电流、低功耗，电压、电流范围宽，电压高达1200 V，电流高达400 A。现在已广泛用于不间断电源（UPS）、各种类型的电机控制驱动、大功率开关、医疗设备、换能器、音频功放等中。
功率模块包括BJT达林顿模块、功率MOSFET模块、IGBT（绝缘栅双极型三极管）模块等，按速度和功耗又可分为高速型和低饱和压降型。这里以IGBT模块为例，介绍功率模块的结构。
IGBT是由具有高输入阻抗、高速的MOSFET和低饱和压降的BJT组成的。图5-18所示为这种IGBT结构的简化等效电路和器件符号。
图5-15中T2为增强型MOS管，工作时，首先在施加于栅极电压之后形成导电沟道，出现PNP管T1的基极电流，IGBT导电；当FET沟道消失时，基极电流被切断，IGBT截止。(www.xing528.com)
功率模块将许多独立的大功率BJT、MOSFET等集合在一起封装在一个外壳中，其电极与散热片相隔离，型号不同，电路多样化，便于应用。
图5-15 IGBT的等效电路及符号
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