MOS晶体管版图简介

对MOS晶体管而言，MOS晶体管沟道的长度L和宽度W是两个重要的参数，在MOS晶体管原理中已经学过宽长比的有关知识。长度一般是指源极和漏极之间的间距，但在考虑性能时，长度可以定义为：当MOS晶体管正常线性工作时，电子在源极和漏极之间所必须移动的距离。

1.CMOS反相器版图

下面给出常用的普通CMOS反相器的基本版图，如图5-8所示。

从图中可以看出，PMOS晶体管一般与电源V_DD相连，NMOS晶体管与GND相连，NMOS晶体管和PMOS晶体管的栅极上有相同的输入信号，而其漏极上有相同的输出信号，对于N阱来说，N⁺区域是与V_DD相连的。

下面再给出另外两种CMOS反相器的版图，CMOS反相器标准单元的版图如图5-9所示。其中图5-9a版图只进行了基本的连接，MOS晶体管的体电极B没有进行连接；而图5-9b中的版图分别在N型阱区和衬底上开孔连接金属，并分别连接到电源和地上，即MOS晶体管的第四个电极体电极B分别连接到对应的电极上。因此图5-9b是一个完整的CMOS反相器版图，而图5-9a是一个基本的CMOS反相器版图。

2.其他版图

根据CMOS反相器的版图，还可以绘制出其他的门电路版图。三输入与非门的版图如图5-10所示。

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图5-8 CMOS反相器的基本版图

图5-9 CMOS反相器标准单元的版图

图5-10 三输入与非门的版图

小结

本章主要讲述集成电路版图设计的内容。首先介绍了集成电路版图设计的概念和基本流程；然后介绍了集成电路版图设计的电学规则和通用设计规则；最后介绍了常用基本单元版图。