【摘要】:反相器的输入与输出反相,能执行逻辑非的功能。反相器是数字电路的基本单元,其一般形式如图4-1所示。图4-1 反相器一般形式其中驱动器件通常采用增强型MOS晶体管,负载可以有电阻负载、增强型负载、耗尽型负载和互补型负载。
反相器的输入与输出反相,能执行逻辑非的功能。反相器是数字电路的基本单元,其一般形式如图4-1所示。
图4-1 反相器一般形式
其中驱动器件通常采用增强型MOS晶体管,负载可以有电阻负载、增强型负载、耗尽型负载和互补型负载。
1.电阻负载反相器(E/R)
负载是电阻,假设其阻值为R1,驱动管的导通电阻为RON,则输出电平为
此时要实现反相器的功能,则要合理地选取R1的值,使得输出低电平符合电路的要求。(www.xing528.com)
2.增强型负载反相器(E/E)
负载是栅极和漏极短接并接在电源上的增强型管子,工作于饱和区,因此又称为饱和E/E反相器。
当输入为低电平时,驱动管截止,负载管饱和导通,输出为比高电平低一个负载管阈值电压VTL的电平,VOH=VDD-VTL;当输入为高电平时,驱动管导通,因此在驱动管与负载管中流过的电流相等,可以据此求出低电平值:
式中,VTL为负载管的阈值电压;βE为驱动管的放大倍数;βL为负载管的放大倍数;VI为输入电压;VTE为驱动管的阈值电压。
3.CMOS反相器
CMOS反相器由一个NMOS晶体管和一个PMOS晶体管组成,CMOS反相器电路如图4-2所示。两个MOS晶体管的栅极连接在一起作为输入端,两个MOS晶体管的漏极连接在一起作为输出端。其中PMOS晶体管的源极连接电源VDD,NMOS晶体管的源极连接地GND。
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