集成电路制造工艺简介

根据集成电路的分类，集成电路制造技术可以分为双极型集成电路工艺和MOS型集成电路工艺。

双极型集成电路的基本制造工艺可以粗略地分为以下两类：

1）在元器件间要做电隔离区。隔离的方法有很多种，如PN结隔离、全介质隔离和PN结-介质混合隔离，线性/ECL、TTL/DTL和STTL电路采用这种工艺。

2）元器件间自然隔离，I²L电路采用这种工艺。(www.xing528.com)

MOS型集成电路的制造工艺根据其有源器件导电沟道的不同，可以分为NMOS集成电路制造工艺、PMOS集成电路制造工艺和CMOS集成电路制造工艺。MOS型集成电路的制造工艺又可以根据栅极的不同分为铝栅工艺（栅电极为铝）和硅栅工艺[栅电极为多晶格的硅（简称多晶硅）]。

随着数-模混合集成电路的迅速发展，Bi-CMOS工艺变得越来越重要，Bi-CMOS工艺是把双极器件和CMOS器件同时制作在同一个芯片上，它综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS器件高集成度、低功耗的优点。目前，Bi-CMOS工艺可以分为两类：一类是以CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺，其中包括P阱Bi-CMOS工艺和N阱Bi-CMOS工艺；另一类是以标准双极工艺为基础的Bi-CMOS工艺，其中包括P阱Bi-CMOS工艺和双阱Bi-CMOS工艺。影响Bi-CMOS器件性能的主要是双极部分，因此以双极工艺为基础的Bi-CMOS工艺用得比较多。