效应晶体管：场效应晶体管外形特征

1.场效应晶体管外形特征

如图2-172所示是几种场效应晶体管实物图。场效应晶体管（Field Effect Transistor），缩写FET。场效应晶体管是一种半导体放大器件，它是20世纪60年代后发展起来的一种器件。

1）它基本上与晶体管的外形和体积大小相同，所以在没有场效应晶体管型号时不易分清是哪场效应晶体管。

图2-169 示意图

图2-170示意图

图2-171 示意图

图2-172 示意图

2）场效应晶体管有多种封装形式，如金属封装、塑料封装等。(www.xing528.com)

3）场效应晶体管一般有三根引脚，还有四根引脚和六根引脚等多种外形。

场效应晶体管不仅具有晶体管的体积小、省电、耐用等优点，更具有输入阻抗很高（10⁸～10⁹Ω）、噪声小、热稳定性好、功耗低、动态范围大、抗辐射能力强、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，这种场效应晶体管的一些特性与电子管相似。

晶体管的载流子为空穴和电子，所以晶体管又称为双极型晶体管。场效应晶体管载流子只有空穴或只有电子，因此场效应晶体管又称单极晶体管。

2.结型场效应晶体管

场效应晶体管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应晶体管用JFET（Junction Field Effect Tran-sistor）表示，结型场效应晶体管有两个PN结。

3.绝缘栅场效应晶体管

绝缘栅场效应晶体管用JGFET（Junction-Gate Field Effect Transistor）表示。绝缘栅型场效应晶体管栅极与其他电极完全绝缘。在绝缘栅型场效应晶体管中，应用最为广泛的是MOS场效应晶体管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET），还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应晶体管，以及最新的πMOS场效应晶体管、VMOS功率模块等。

各种场效应晶体管按照导电沟道所用的材料不同又分为两类：N沟道，它的载流子为电子；P沟道，它的载流子为空穴。

4.增强型和耗尽型场效应晶体管

增强型和耗尽型的区别是：当U_GS=0V时，源极和漏极之间存在导电沟道，称为耗尽型；必须使│U_GS│>0时才有导电沟道的，称为增强型。

所谓增强型是：当U_GS=0时场效应晶体管是呈截止状态，加上正确的U_GS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指当U_GS=0时即形成沟道，加上正确的U_GS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使场效应晶体管反向截止。