片内存储器及映射方式分析

1.双访问RAM（DARAM）

一个机器周期内可以访问DARAM（Dual Ac cess RAM）两次，即主相写入数据，从相读出数据，从而可大大提高运行速度。544 W的DARAM分为三块：32 W的B2（地址60H～7FH）、256 W的B1（地址300H～3FFH）和256W的B0。

DARAM存储器空间主要用来保存数据，但是B0块也可以用来存放程序。B0块配置成数据存储器空间还是程序存储器空间，要由状态寄存器ST1的CNF位来决定：

①CNF=1，B0映射到程序存储器空间（地址FF00H～FFFFH）。

②CNF=0，B0映射到数据存储器空间（地址200H～2FFH）。

2.单访问RAM（SARAM）

240x片内有2 KW的单访问RAM（Single Ac cess RAM，SARAM），在一个机器周期内只能被访问1次。例如，如果要将累加器的值保存，且装载一个新值到累加器，在SARAM中，完成这个任务需要两个时钟周期，而在DARAM中只需要一个时钟周期。

利用软件通过系统控制和状态寄存器SCSR2可将SARAM配置到数据或/和程序空间，存放数据或/和程序。分配到片内数据存储器时，地址为0800H～0FFFH。分配到片内程序存储器时，地址为8000H～87FFH。SARAM地址空间也可以不被映射，而该空间被分配到外部存储器。

图2-3 2407 DSP存储器及I/O空间映射

3.Flash程序存储器

片内32KW的Flash存储器映射到程序存储器空间，地址为0000H～7FFFH。引脚MP/MC决定是访问片内的程序存储器（Flash），还是访问片外的程序存储器。该引脚为低电平时访问片内Flash，为高电平则访问片外的程序存储器。对于没有片外存储器接口的芯片，Flash存储器总是处于使能状态。

（1）Flash程序存储器(www.xing528.com)

Flash可以被编程或者使用电擦除的方式进行程序的修改和开发。Flash模块特点：

●运行在3.3 V电压模式。

●对Flash编程时需要在引脚V_CCP上有5 V（±5%）电源供电。

●Flash分为多个块，可以在擦除时分块保护。

●Flash的编程是由CPU来实现的。

（2）Flash控制方式寄存器（FCMR）

Flash模块有4个寄存器控制对Flash的操作。在任意时刻，用户可以访问Flash模块中的存储器阵列，也可以访问控制寄存器，但不能同时访问。Flash模块有一个Flash控制方式寄存器（Flash Control Mode Register，FCMR）来选择两种访问模式。该寄存器映射在内部I/O空间的FF0FH地址，是一个不能读的特殊功能寄存器，它可在Flash的存储器阵列方式下使能Flash，用来对Flash阵列编程。该寄存器的功能如下：

使用OUT指令，可以将Flash模块置于寄存器访问模式，被使用的数据操作数是无意义的。例如：

OUT　dummy，0FF0Fh；选择寄存器访问方式。

使用IN指令，可将Flash模块置于存储器阵列访问模式，被使用的数据操作数是无意义的。例如：

IN　dummy，0FF0Fh；选择存储器阵列访问方式