金属-半导体接触及金属化技术简介

金属化是半导体器件的重要工艺之一。欧姆接触与肖特基势垒均属金属-半导体接触范畴，此处仅对GaAs的欧姆接触进行简单介绍。

化合物半导体欧姆接触的类型很多，其中使用最多的是表面高掺杂型（隧道穿透型），作为接触的合金与半导体有源层通过合金化相互作用，在接触合金下面形成一个高掺杂再生长层。由于载流子耗尽层很薄，载流子能以隧道效应在金属和半导体之间的势垒进行输运。

欧姆接触的合金由以下一些成分组成：

1）黏附金属。为使掺杂元素与半导体黏附性好，在GaAs表面先蒸上一层Cr、Ni或Al等金属，以增加金属与半导体之间的黏附。(www.xing528.com)

2）掺杂元素。对Ⅲ-Ⅴ族化合物而言，n型可用ⅣA族的Si、Ge、Sn和ⅥB族的Se、Te，p型，一般用ⅡA族的Be、Mg和ⅡB族的Zn、Cd。掺杂元素的表面还要覆盖一层合金层，n型GaAs最常用的合金为AuGeNi（金锗共晶合金中溶解了镍），在500℃时与GaAs平衡的AuGeNi中Ni的平均溶解度为2.52%（质量分数），650℃时为2.67%（质量分数）。p型GaAs常用的金属化合金为Be或AuZn合金膜，或用外延的方法在GaAs表面上制备TiPt或CrAu膜。

3）覆盖金属。为使欧姆接触能与外壳（或引线）钎焊，一般在掺杂层外面再覆盖一层易焊金属，最常用的覆盖金属为金。