通常先把做好的硅芯片减薄到一定的厚度，再在其背面做金属化处理，将金属化后的硅芯片用钎料钎焊在已电镀的管壳基座上。钎焊温度和时间需根据所用钎料的熔点及芯片面积、基座热容量等诸因素决定。钎焊温度对钎焊质量和器件性能有显著影响，温度过低，则钎料熔化不良，润湿性差，使器件热阻变大，饱和压降增加；温度过高则会导致钎料过度流动，铺展面积过大，且易使器件性能变坏。一般以钎焊温度比钎料熔点高15～50℃为宜。钎料用量须合适，并准确地添加到待焊位置。钎焊时间应根据钎焊温度、芯片大小、基座热容量等因素通过试验确定。焊前需要对半导体芯片进行干燥除潮处理，烘烤温度和时间根据受潮程度确定。钎焊过程一般包含预热、保温和降温等阶段，与普通的电子软钎焊相似。典型的再流软钎焊温度曲线如图13-2所示。
图13-2 再流软钎焊温度曲线 Fig.13-2 Reflow soldering profile
为防止钎焊过程中母材和钎料的氧化，软钎焊可在真空下进行，真空度一般不低于13Pa。为了便于自动化生产，近年来多采用惰性气体（氮气）保护钎焊。在氮气中加入3%～5%的氯气，能使器件的钎焊性能更佳；另外，也可采用还原性气体（纯氢气）保护钎焊。(www.xing528.com)
在硅芯片的焊接中，另一种应用很广的是共晶钎焊法，它是利用芯片背面的金属（如金片）在加热时形成金-硅低熔共晶合金而钎焊芯片的一种方法。由图13-1可以看出，Au-Si低熔共晶合金含硅3.2%（重量比），熔化温度为363℃。共晶钎焊法具有连接强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高等优点，在微波功率器件的芯片装配中得到了广泛应用，并受到高可靠器件封装业的认可。
采用共晶钎焊时，要求将基座和芯片加热到400～420℃左右，并使芯片和基座之间相互擦动以利于钎焊。芯片背面金属化层越厚，越有利于钎焊，但考虑到成本因素，其厚度通常控制在1～1.5μm。芯片背面不黏附金时，可在芯片和基座之间加入厚度为0.02～0.03mm的金箔（或金-锑箔）。
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