场效应晶体管参数分析

场效应晶体管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数。

（1）饱和漏源电流I_DSS

饱和漏源电流是指耗尽型场效应晶体管工作于饱和区时，栅—源极短路和U_DS﹥U_P（栅源电压U_GS=0）时的漏源电流。通常按饱和漏源电流对场效应晶体管进行分档，以便在实际中选用。图2-75所示为测量I_DSS所用电路。

（2）夹断电压U_P

夹断电压也称为截止栅压U_GS（Off），是耗尽型MOS管的重要参数，指的是在U_DS等于某一定值，使漏极电流I_D近似为零（小于10μA）时，栅极G和源极S之间所需的电压U_GS值。图2-76所示为测量U_P所用电路。

图2-75 测量I_DSS电路

图2-76 测量U_P电路

夹断电压U_P对场效应晶体管工作点的选择、饱和压降的确定非常重要。一般耗尽型场效应晶体管都有这项参数，增强型场效应晶体管则没有这项参数。

（3）开启电压U_T

开启电压又称为阈值电压U_GS（TH），是增强型MOS管的重要参数，指的是在增强型绝缘栅场效应晶体管中，使漏极D和源极S间导通的栅极电压，是有明显漏极电流出现时的栅极电压。图2-77所示为测量U_T所用电路。耗尽型场效应晶体管不存在开启问题，故没有U_T这项参数。

（4）直流输入电阻R_GS

直流输入电阻是指漏—源极短路，栅—源极加规定极性电压U_GS时，栅—源极呈现的直流电阻值。它表示栅源电压和栅源电流之比，电阻值很大，结型场效应晶体管的R_GS值一般在10⁷Ω以上，MOS管的R_GS值一般在10⁹Ω以上。

（5）低频跨导g_m(www.xing528.com)

低频跨导又称为低频互导，是指在漏—源极电压U_DS为定值条件下，漏极电流微变量ΔI_D和引起这个变化的栅源电压微变量ΔU_GS之比。

g_m表示栅极电压对漏极电流的控制能力，是衡量场效应晶体管放大能力的重要参数。图2-78所示是测量g_m所用电路。

图2-77 测量U_T电路

图2-78 测量g_m电路

（6）最大耗散功率P_DM

最大耗散功率P_DM=U_DSI_D，与半导体晶体管的P_CM类似，受管子最高工作温度的限制。

（7）漏源击穿电压U（BR）DS

漏源击穿电压指漏极电流开始急剧增加时所对应的漏源电压。

（8）截止频率f_T

截止频率指共源电路中，输出短路电流等于输入电流时的工作频率。