场效应晶体管分类及符号解析

根据结构不同，场效应晶体管可以分为结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管（IGFET）或称为MOS型场效应晶体管两大类。根据场效应晶体管制造工艺和材料的不同，又可分为N沟道结型场效应晶体管和P沟道结型场效应晶体管。由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）组成的，称为MOS管。MOS管可分为N沟道和P沟道两种，按照工作方式不同又可以分为增强型和耗尽型两类。

常用的场效应晶体管其外形与晶体管相似，3个电极分别为源极S、栅极G和漏极D，与晶体管的发射极e、基极b和集电极c相对应。

结型场效应晶体管结构简图及电路符号如图2-71所示。N沟道结型场效应晶体管是在N型硅片上采用扩散的工艺产生两个P区而形成的。它有3个电极，N型硅片上端所引出的电极叫漏极，用D表示；下端所引出的电极叫源极，用S表示；两个P区所引出的电极连接在一起，叫栅极（又叫控制极），用G表示。漏极与源极之间靠N沟道来导电。

N沟道增强型MOS管以一块掺杂浓度较低的P型硅片做衬底，在衬底上通过扩散工艺形成两个高掺杂的N型区，并引出两个极作为源极S和漏极D，在P型硅表面制作一层很薄的二氧化硅（SiO₂）绝缘层，在二氧化硅表面再喷上一层金属铝，引出栅极G。这种场效应晶体管栅极G、源极S、漏极D之间都是绝缘的，所以称之为绝缘栅型场效应晶体管。

图2-71 结型场效应晶体管结构简图及电路符号

绝缘栅型场效应晶体管是一种栅极G与漏极D、源极S完全绝缘的场效应晶体管，其输入电阻在10¹²Ω以上。它也分N沟道和P沟道两大类，每一类又分增强型和耗尽型两种，如图2-72所示。

绝缘栅场效应晶体管的图形符号如图2-73b、c所示，箭头方向表示沟道类型，箭头指向管内表示为N沟道MOS管（图2-73b），否则为P沟道MOS管（图2-73c）。

图2-72 绝缘栅型场效应晶体管图形符号(www.xing528.com)

图2-73 MOS管的结构及其图形符号

（1）小功率场效应晶体管

小功率场效应晶体管具有输入阻抗极高、驱动电流小、噪声低等特点，适用于前置电压放大、阻抗变换电路、振荡电路及高速开关电路。

（2）双栅场效应晶体管

双栅场效应晶体管有一个源极S、一个漏极D和两个栅极G，其中两个栅极G是相互独立的，使得它可以用来做高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。

（3）片状场效应晶体管

与片状晶体管相比，片状场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低动态范围大、交叉调制失真小等特点。片状场效应晶体管分结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）。JFET主要用于小信号场合，MOSFET既用于小信号场合，也用于功率放大或驱动的场合。片状场效应晶体管如图2-74所示。