点接触型二极管的特点及使用注意事项

1.二极管的结构

把PN结封装在管壳中，并引出两个金属电极，就构成一个二极管。其外形如图4-10所示，图形符号如图4-11所示，文字符号用VD表示。P区引出的电极叫阳极（正极），N区引出的电极叫阴极（负极）。二极管按结构不同分为点接触型和面接触型两种。

点接触型二极管的特点是PN结面积小，因而结电容小，工作频率可达100MHz以上，但不能承受高的反向电压和大的正向电流。适用于高频检波和小电流的整流。

面接触型二极管的特点是PN结面积较大，因而结电容大，工作频率低。适用于大电流、低频率的场合，常用于低频整流电路中。

图4-10　二极管的外形

图4-11　二极管的符号

图4-12　硅二极管的特性曲线

2.二极管的特性曲线(www.xing528.com)

二极管的特性曲线是用来表示二极管两端的电压和流过它的电流之间的关系曲线。通过实验或查半导体器件手册，都可获得每个二极管的特性曲线。图4-12为硅二极管的特性曲线图，由图可见，可将曲线分为四个部分。

（1）死区。正向电压从0～0.5V这部分的正向电流很小，几乎为零，称它为死区。电压0.5V称为硅管死区电压，而锗管的死区电压为0.2V。

（2）正向导通区。正向电压大于0.5V以后，电流增长很快，称二极管导通。但导通电压几乎不变，约为0.7V左右，把0.7V称为硅二极管的导通压降。锗管的导通压降约为0.3V左右。

（3）反向截止区。反向电压从0～-50V这部分的反向电流很小，几乎为零，把该区域称反向截止区，反向截止区的范围因管子不同而不同。

（4）反向击穿区。当反向电压大于50V以后，由图可见，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，称为击穿。50V时的反向电压称为二极管的反向击穿电压。二极管被击穿后，一般不能恢复性能，在使用二极管时，反向电压一定要小于反向击穿电压。

3.二极管的主要参数

（1）最大整流电流IF——二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。其大小由PN结的结面积和外界散热条件决定。

（2）最大反向工作电压URM——二极管安全运行时所能承受的最大反向电压。手册上一般取击穿电压U（BR）的一半作为URM。

（3）反向电流IR——二极管未击穿时的反向电流。IR值越小，二极管单向导电性越好。IR的值随温度变化而改变，使用时要加以注意。

（4）最高工作频率FM——FM由PN结的结电容大小决定。二极管的工作频率超过FM，单向导电性变差。

二极管的参数是正确使用二极管的依据，这些参数可以在半导体手册中查到。在使用时，应特别注意不要超过最大整流电流和最大反向工作电压，否则管子容易损坏。