1.晶体管的作用
晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。场效应晶体管的三个极，分别是源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。电路中，晶体管常用在放电电路、开关电路和逻辑电路中。
2.晶体管的构造
晶极管全称为晶体三极管或半导体三极管，其是由两个反向连接的PN结面并引出三个引脚构成的一种三端器件，可以根据PN结连接的关系，分为NPN和PNP两种，如图2-26所示。三极管有三个工作区，分别为饱和、放大和截止工作区，在放大区集电极电流和基极电流成比例关系，这是三极管放大作用的根源。
图2-26 晶极管结构及符号
3.插装晶体管的分类和识别
晶体管根据结构和工作原理可分为三极管、场效应管、可控硅；按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管；晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管；晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管；晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。
（1）可控硅
可控硅的外观如图2-27所示。
1）可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。
2）它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
3）具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。
4）该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
（2）普通三极管
普通三极管的外观如图2-28所示。
图2-27 可控硅
图2-28 普通三极管
1）普通三极管的封装形式主要有金属、陶瓷和塑料形式。
2）普通三极管的封装为TO×××，×××表示三极管的外形。
3）普通三极管装配方式有通孔插装（通孔式）、表面安装（贴片式）和直接安装。
4）普通三极管引脚形状有长引线直插、短引线或无引线贴装等。
5）常用三极管的封装形式有TO-92、TO-126、TO-3、TO-220TO等。
（3）光敏三极管(www.xing528.com)
光敏三极管的外观如图2-29所示。
1）光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。
2）光敏三极管又称光电三极管，它是一种光电转换器件，其基本原理是光照到PN结上时，吸收光能并转变为电能。当光敏三极管加上反向电压时，管子中的反向电流随着光照强度的改变而改变，光照强度越大，反向电流越大，大多数都工作在这种状态。
（4）场效应管
场效应管的外观如图2-30所示。
图2-29 光敏三极管
图2-30 场效应管
1）场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管。主要有两种类型结型（Junction FET-JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor-FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
2）场效应管属于电压控制型半导体器件。
3）场效应管具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
4.晶体管的参数
晶体管主要参数有直流电流放大系数、交流电流放大系数、耗散功率、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流。
（1）直流电流放大系数
直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
（2）交流电流放大系数
交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB的比值，一般用hfe或β表示。
（3）耗散功率
耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
（4）集电极最大电流ICM
集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。
（5）最大反向电压
最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极-发射极反向击穿电压、集电极-基极反向击穿电压和发射极-基极反向击穿电压。
（6）反向电流
晶体管的反向电流包括其集电极-基极之间的反向电流ICBO和集电极-发射极之间的反向击穿电流ICEO。
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