影响MOS得分的因素分析

1.频繁切换对MOS分的影响因素分析

如果eNodeB给终端下发切换的测量重配置（在EVENT中统计为一次Handover Start），就算为发生一次切换事件（不管切换成功或失败）。将每次MOS打点前8s内的切换事件进行统计（主叫和被叫的切换事件统计在一起），结果见表8-14。

表8-14 频繁切换对MOS分的影响

以某地市某次测试为例：

如图8-33所示，MOS评分低于3.5分的采样点中，98个采样点发生了173次切换，每MOS分打点切换次数1.77次；而MOS分大于等于4的采样点中，461个采样点只发生了150次切换，每MOS分打点切换次数只有0.33。可见MOS打点前8s内的频繁切换会对MOS评分造成明显影响。

图8-33 平均每MOS打点切换次数

对MOS评分8s内切换次数为0次、1次、2次、3次及以上（均为主叫+被叫）采样点的MOS平均分进行统计，结果如图8-34所示。

图8-34 频繁切换次数对MOS评分的影响

可见，当一次MOS打点8s内切换次数（主叫+被叫）大于等于3次时，平均MOS分只有3.39分，低于达标值3.5。需要重点对8s内切换次数超3次（主叫+被叫）频繁切换路段进行优化。

目前同频切换偏置为2（1dB），同频切换幅度磁滞为4（2dB），同频切换时间磁滞为320（320MS）。对于切换频繁切换，建议将同频切换偏置由2修改为4，同频切换时间磁滞由320修改为640，减少频繁切换，提升MOS分。

2.SINR值低对MOS分的影响分析

在输出统计表格中，每一秒输出一个SINR值。统计在每一个SINR区间内总时长和MOS分在3.5分以下的时长，以及MOS分低于3.5的时长占比，见表8-15。

表8-15 不同SINR区间MOS低于3.5分占比

(www.xing528.com)

可见，当SINR值低于0时，MOS低于3.5分占比就达到30%以上，可以认为当SINR低于0时，就会对MOS评分带来较明显的影响。

由于每次MOS打点需要评估8s数据，主叫+被叫一共16个SINR采样点，对于有多少个SINR值低于0采样点会影响MOS分的评估见表8-16。

表8-16 低SINR采样点对MOS分的影响

可见，当8s内有4个及以上SINR采样点（主叫+被叫）值小于0时，会有44%的比例MOS评分低于3.5分。故认为，在一个MOS评分的8s周期内，如果有4个及以上的SINR采样点值低于4，则会对MOS分产生严重影响。

3.RSRP值低对MOS分的影响分析

在输出统计表格中，每一秒输出一个RSRP值。统计每一个RSRP区间平均MOS分，如图8-35所示。

当RSRP值低于-110时，MOS平均值仅为3.57，明显低于其他区间。可以认为当SINR低于-110时，会对MOS分产生明显影响。

4.RRC中断对MOS分的影响分析

如果在MOS评估的8s内，RRC异常中断（终端收到RRC Connection Release或终端发送RRC Connection Request、RRC Connection Reestablishment Request），则会对MOS分产生严重影响。在此次测试中，有两次MOS打点评估周期内出现RRC中断，最终MOS评分均低于3.5分。

图8-35 RSRP值对MOS评分的影响

5.终端CSFB或eSRVCC到2G对MOS分的影响分析

若主叫终端或被叫终端CSFB或ESRVCC到2G后，则语音编码方式将从AMR WB23.85K变更为AMR NB 12.2K或更低的编码方式，会对MOS分产生严重影响。此次测试未出现CSFB和eSRVCC事件。

6.上行干扰对MOS分的影响分析

如果主被叫终端占用的小区存在上行干扰，则将会对MOS分产生影响。如果UL初始BLER在30%以上，且PUSCH TX PWR接近23，则怀疑小区可能存在上行干扰，通过核查小区每RB上行干扰电平值话统指标是否大于-105dBm来判定。此次测试未发现存在明显上行干扰的情况。