在等比电压源多电平组合这类拓扑结构的仿真中,定义高压单元为主变换器,低压单元为从变换器。较高电压的GTO变换单元以输出电压的基波频率为开关频率,而较低电压的IGBT变换单元则在较高的频率下进行脉冲宽度调制,以此改善输出波形。下面分别对基于DCMC串联的组合拓扑结构(如图4-4b所示)和基于H与DCMC串联(如图4-4c所示)进行仿真研究。
图4-13 DCMC(GTO)+DCMC(IGBT)从变换器调制策略仿真波形
1.基于DCMC串联的组合拓扑结构的仿真
这里基于DCMC串联组合拓扑结构的仿真研究是以图4-4b所示的结构为研究对象。现定义电压比为1∶2(输出13电平)。在该组合拓扑结构的仿真中,调制策略:主变换器为5电平DCMC拓扑,调制波需要两个直流电源电动势,即以±E/2,±3E/2(E=100V)直流电源电动势作为主变换器的调制波,同3E的正弦波比较控制主变换器开关器件的导通和关断。同样地以主变换器参考波与输出的差值作为从变换器的参考波,以3.15kHz的三角波作为从变换器的载波,对从变换器作PWM调制。图4-13所示为在该种调制策略下从变换器调制策略的仿真波形,其中U1,U2为参考波及主变换器的输出电压波形,U3为U1、U2的差值,也就是从变换器的参考波,U4为从变换器的调制波形,U5为从变换器的输出电压波形(以下各从变换器调制策略仿真波形均如此排列)。图4-14所示为变换器输出电压仿真波形及输出电压波形的频谱分析。
图4-14 DCMC(GTO)+DCMC(IGBT)组合拓扑结构仿真波形及频谱分析(www.xing528.com)
2.基于H与DCMC串联的拓扑结构的仿真
这里基于H与DCMC串联组合拓扑结构的仿真研究是以图4-4c所示的结构为研究对象。当选取主从变换器直流电源电动势比为6∶1时,需要以(6E+E)的正弦波作为主变换器的参考波,±3E/2,±9E/2的直流电源电动势作为主变换器的调制波,从变换器的调制及仿真参数同上所述,可测得如图4-15所示的输出电压仿真波形及频谱分析。对不同电压比的相同拓扑结构的变换器,从变换器的调制策略仿真波形除参考波幅值不同外其余基本相同,这里就不一一列出。
由图4-13、图4-14及图4-15所示的输出电压仿真波形可见,各种组合拓扑结构输出电平数符合表4-1所列的数据。由它们对应的频谱分析中可见,随着电平台阶数的增加,输出电压谐波成分相应地减少。在所采用的调制策略中,主变换器采用基波调制(FPWM),在输出电压基波周期内,开关器件通断一次,有效地降低了开关损耗,提高了整个装置的输出功率;从变换器采用多载波调制(MCPWM),由所得到的频谱分析中可见,主变换器所产生的低次谐波被从变换器的相应部分所
图4-15 H(IGBT)+DCMC(GTO)组合拓扑结构仿真波形与频谱分析
抵消,仅剩下载波频率倍数的边带谐波,明显改善了输出电压波形的频谱特性。
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