了解场效应晶体管的特点及图形符号

场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET），通常简称为场效应管，是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，它也是一种具有PN结结构的半导体器件，与普通晶体三极管的不同之处在于它是电压控制器件。

场效应晶体管在电子电路中有特殊的电路标识，场效应晶体管种类不同，电路标识也有所区别，我们在对电子电路识读时，通常会先从电路标识入手，了解场效应晶体管的特点及图形符号。图2-37所示为典型场效应晶体管的电路符号。

图2-37 典型场效应晶体管的电路符号(www.xing528.com)

电路符号表明了场效应晶体管的类型；引线由电路符号两端伸出，与电路图中的电路连通，构成电子线路；标识信息通常提供了场效应晶体管的类别、在该电路图中的序号以及场效应晶体管型号等参数信息。

【知道更多】

场效应晶体管是一种典型的电压控制型半导体器件，它有三只引脚，分别为漏极（D）、源极（S）、栅极（G），分别对应晶体三极管的集电极（c）、发射极（e）、基极（b）。由于场效应晶体管的源极S和漏极D在结构上是对称的，因此在实际使用过程中有一些可以互换。根据结构的不同，场效应晶体管可分为两大类：结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）。图2-38所示为场效应晶体管的外形结构及其图形符号、功能。