场效应晶体管：结型与绝缘栅型比较

场效应晶体管在微波炉中被广泛应用，如图2-39所示。它可分为结型场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管（MOS管）两大类。其中，绝缘栅型场效应晶体管的栅极（G）易被击穿损坏，所以引脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的，而结型场效应晶体管在包装上无特殊要求。

绝缘栅型场效应晶体管是栅极（G）与其他电极完全绝缘的一种场效应晶体管。目前在绝缘栅型场效应晶体管中，应用最广泛的是MOS场效应晶体管（即金属-氧化物-半导体场效应晶体管MOSFET），英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）。MOS场效应晶体管具有工作频率高、增益高、噪声小、动态范围宽、抗强信号过载能力强、抗干扰性能好以及AGC特性优良等特点，被广泛用于电气设备中的高频电路中。

图2-38 测量晶体管的直流放大系数

图2-39 场效应晶体管

若从包装不能区分时，则应使用指针式万用表的电阻挡进行测量，将万用表置于“R×1k”挡或“R×100”挡测量G、S引脚之间的阻值，若正、反向电阻值都很大，近乎不导通，则说明该管为绝缘栅型场效应晶体管；若电阻值呈PN结的正、反向电阻值，则说明该管为结型场效应晶体管。

1.判别结型场应晶体管电极(www.xing528.com)

根据检测场效应晶体管的PN结正、反向电阻值，即可判别出结型场效应晶体管的3个电极。具体方法有两种：

方法一：将万用表置于R×1k挡上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极（D）和源极（S）（结型场效应晶体管的漏极（D）和源极（S）可互换），剩下的电极即为栅极（G）。

方法二：将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极（G），其余两电极分别为漏极（D）和源极（S）。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结是反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应晶体管，且黑表笔接的是栅极（G）；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应晶体管，黑表笔接的也是栅极（G）。若未出现上述情况，则调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直至判别出栅极（G）为止。

2.判别场效应晶体管的好坏

先将万用表置于R×10或R×100挡，测量源极（S）与漏极（D）之间的电阻值，正常时电阻值应在几十欧到几千欧范围，若测得电阻值大于正常值，则该管内部接触不良；若测得电阻值为无穷大，则该管内部断极。

然后将万用表置于R×10k挡，再测栅极（G1）与（G2）之间、栅极（G）与源极（S）、栅极（G）与漏极（D）之间的电阻值，正常时各项电阻值应为无穷大。若测得上述各电阻值太小或为通路，则说明该管损坏。