半导体分立器件的型号命名方法优化

1.国产半导体分立器件型号命名方法

国家标准GB/T 249—1989规定了国产半导体分立器件型号命名方法。国标规定半导体分立器件型号名称由五部分组成,各组成部分的表示方法及其意义如图1.4.4所示,其中前三部分的具体方法及意义如表1.4.1所示。

图1.4.4　国产半导体分立器件型号命名方法

表1.4.1　国产半导体分立器件型号字母及意义

例如,2CP代表硅材料普通二极管;2DW代表硅材料稳压二极管;3DG6C代表硅NPN型高频小功率晶体管,后面两位符号为此系列的细分种类,其详细参数可查半导体器件手册。

2.国外晶体管型号命名方法

进口半导体分立器件产品类型很多,不同国家的产品有不同的命名规则。

(1)国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法

欧洲许多半导体器件生产厂家习惯采用国际电子联合会半导体分立器件命名方法,特点是以两个字母开头,这种命名方法的详细规定如表1.4.2所示。从表中可以看出,按照这种命名方法,晶体管型号中不包含晶体管极性(NPN或PNP)的信息,确定晶体管是NPN型还是PNP型需要查阅手册或实际测量。(www.xing528.com)

(2)美国电子工业协会半导体分立器件型号命名方法

美国半导体器件的型号命名比较混乱,这里介绍美国电子工业协会规定的半导体分立器件的型号命名方法,如表1.4.3所示。这个方法规定较早且未得到完备和改进,因此很不完善,型号命名对于材料、极性、类型等许多重要的特征不能准确反应。例如,2N开头的可能普通晶体管,也可能是场效应管。因此许多美国的厂家并不遵循此规则,而是按照自己规定的命名方法对产品进行型号进行命名。

表1.4.2　国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法

表1.4.3　美国电子工业协会晶体管型号命名方法

(3)日本半导体分立器件型号命名方法

日本半导体分立器件或其他国家按照日本专利生产的这类器件,都是按照日本工业标准(JIS)规定的命名法命名的。日本半导体分立器件的型号由五至七部分组成,通常只用到前五部分,第六、七部分的符号和意义通常由各企业自行规定。前五部分的符号及意义如表1.4.4所示。

表1.4.4　日本半导体分立器件型号命名方法