如何通过USS指令控制MM420变频器的运行？

1）使用USS协议的初始化模块初始化S7-200的PORT0端口。

如图5-5所示，二进制值2#10表示要初始化USS地址为1的变频器，波特率为9600，此地址与波特率要与变频器参数的设置相同，即P2010=6（波特率）、P2011=1（变频器站点地址）。

2）使用USS_CTRL模块来控制USS地址为1的变频器（见图5-6）

3）下载程序前要在“程序块”→“库”选项上点击鼠标右键，选择“库存储区”，如图5-7所示，需要选择USS协议所占用的地址进行分配，如图5-8所示。

图5-5 USS初始化

图5-6 USS_CTRL模块调用

图5-7 选择库存储区

图5-8 库存储区分配

4）在MM4系列变频器中，不同的参数具有不同的类型，主要包括三种，即U16、U32和浮点数。其中U16为16位无符号整数，U32为32位无符号整数。(www.xing528.com)

读写U16类型参数，如读写参数P1000，可以使用USS_RPM_W和USS_WPM_W（这两个功能块用来读写16位无符号整数。

图5-9所示为MM4变频器P1000参数的说明，显然它为U16数据类型。

图5-9 P1000参数说明

图5-10所示为一个读取P1000参数的案例，在运行此程序块的情况下，只要给S7-200的I0.6置一个上升沿，就可以完成一次对参数P1000的读操作，读入的值被保存到VW22中。需要特别注意的是：USS_RPM_W的INDEX值必须置0，因为MM4变频器默认的是PXXXX.0参数组。

写参数P1000的程序块如图5-11所示。在运行此程序块的情况下，只要给S7-200 PLC的I0.7置一个上升沿，就可以完成一次对参数P1000的写操作，将值“5”写入到参数P1000。USS_WPM_W的EEPROM是逻辑“0”时，写入的值只被保存到变频器的RAM中，当EEPROM是逻辑“1”时，写入的值同时被保存到变频器的RAM和EEPROM中，但向EEPROM中写数据是有次数限制，最多不要超过50000次。

5）对于读写U32和浮点数类型的参数值，其编程方式同5），唯一需要改变的是功能块略有区别：USS_RPM_D和USS_WPM_D这两个功能块用来读写32位无符号整数；使用USS_RPM_R和USS_WPM_R这两个功能块用来读写浮点数。

图5-10 一个读取P1000参数的案例

图5-11 一个写P1000参数的案例