场效应晶体管的主要参数优化探讨

1.直流参数

（1）开启电压u_gs（th）

开启电压u_gs（th）是在u_ds为一常量时，使i_d大于零所需的最小u_gs的值。手册中给出的是在i_d为规定的微小电流时的u_gs。u_gs（th）是增强型MOS管的参数。

（2）夹断电压U_gs（off）

夹断电压U_gs（off）是在U_ds为一常量时，使i_d等于零所需的最大u_gs的值。手册中给出的是在i_d为规定的微小电流时的u_gs。U_gs（off）是结型场效应晶体管和耗尽型MOS管的参数。

（3）饱和漏极电流I_DSS

该电流是耗尽型MOS管的参数，该值描述在u_gs等于零的情况下，管子产生预夹断时的电流值。

2.交流参数

（1）低频跨导g_m

低频跨导g_m的数值表示栅-源电压u_gs对漏极电流i_d控制作用的大小。工作在恒流区的场效应晶体管，低频跨导g_m的表达式为(www.xing528.com)

（2）极间电容

场效应晶体管三个电极之间均存在电容，通常栅-源电容C_gs和栅-漏电容C_gd约为3pF左右，漏-源电容C_ds小于1pF，在高频电路中应考虑极间电容的影响。

3.极限参数

（1）最大漏极电流I_DM

最大漏极电流I_DM指的是管子正常工作时漏极电流的上限值。

（2）击穿电压U_（BR）ds

击穿电压U_（BR）ds指的是工作在恒流区的管子，使漏极电流骤然增大的u_ds电压值，管子工作时，加在漏-源之间的电压不允许超过此值。

（3）最大耗散功率P_DM

最大耗散功率P_DM指的是工作在恒流区的管子，漏极所消耗的最大功率，该值与场效应晶体管工作时的温度有关。