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半导体设备保护熔断体的典型试验

时间:2023-06-28 理论教育 版权反馈
【摘要】:这些数值应以熔断体的额定电流为依据。对特殊熔断体或特殊使用场合,约定试验装置不适用时,制造厂商可以另行规定试验装置,并将全部有关数据记录在试验报告中。试验后,熔断体的特性不应有显著的变化。对于同一熔断体组的熔断体,按国家标准,仅适用于最大额定电流的熔断体。

半导体设备保护熔断体的典型试验

1.温升与耗散功率验证

(1)熔断体布置 试验只需要用一只熔断体,熔断体应垂直安装在如图11-6或图11-7所示的约定试验装置上。

作为约定试验装置组成部分的铜导体的电流密度应不小于1A/mm2,不大于1.6A/mm2。这些数值应以熔断体的额定电流为依据。铜导体的宽度与厚度之比应符合下列规定:对于额定电流小于200A者,不大于10;对于额定电流等于和大于200A者,不大于5。

试验时的周围空气温度应在10~30℃范围内。

对带有熔断器底座的熔断体,试验时熔断体可以装在熔断器底座上。

对特殊熔断体或特殊使用场合,约定试验装置不适用时,制造厂商可以另行规定试验装置,并将全部有关数据记录在试验报告中。

(2)熔断体耗散功率 除额定电流时测量耗散功率,至少还应在50%额定电流时测量耗散功率。

(3)试验结果的判别 熔断体的温升极限和耗散功率应不超过制造厂商的规定。试验结束后,熔断体的特性不应有显著的变化。

2.额定电流验证

熔断体需要经受100个周期的试验循环,每个周期应包括在额定电流下的0.1倍约定时间的“通电”和0.1倍约定时间的“断电”。试验后,熔断体的特性不应有显著的变化。约定时间按表11-3的规定。

3.时间-电流特性验证

时间-电流特性可由GB/T 13539.4—2009中8.5试验示波图的数据来验证。验证时确定下列时间:

1)从电路接通瞬间至电压测量装置指示出电弧出现瞬间;(www.xing528.com)

2)从电路接通瞬间至电路完全断开的瞬间。

以上确定的弧前时间和熔断时间应在制造厂商提供的时间-电流带之内。

对于交流:实际弧前时间小于额定频率的10个周波的预期电流至绝热熔化的电流值范围内,应使预期电流不包含非周期分量。

对于直流:交流电流下确定的时间-电流特性大于15τ的部分可以用于直流。

对于同一熔断体组的熔断体,按国家标准,仅适用于最大额定电流的熔断体。对于最小额定电流的熔断体只需验证弧前时间就可以了。

弧前时间-电流特性可在任何电压下和任意线性电路上进行测定。熔断时间-电流特性需要在规定的电压和电路特性时进行测定。

4.过载验证

熔断体需要经受100个周期的负载循环,每个周期的全部时间为0.2倍约定时间,每个周期的“通电”时间和试验电流为要验证过载能力坐标点上的时间和电流;其余时间为“断电”时间,试验后,熔断体的特性不应有显著的变化。约定时间按表11-3的规定。

注:对于弧前时间大于15τ时,这些试验可用来验证直流熔断体的过载能力。

5.熔断指示器、熔断撞击器的动作验证(若有这些装置的话)。

熔断指示器、熔断撞击器的特性和特性验证应由制造厂商与用户协商确定。

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