首页 理论教育 硅光电池:光照特性、频率响应和温度特性

硅光电池:光照特性、频率响应和温度特性

时间:2023-06-27 理论教育 版权反馈
【摘要】:图5.2-7为硅光电池的光照特性曲线。图5.2-9示出光的调制频率f和光电池相对输出电流Ir的关系曲线。可以看出,硅光电池具有较高的频率响应,而硒光电池较差。因此,在高速计数器,有声电影以及其它方面多采用硅光电池。从图5.2-10的光电池的温度特性曲线中可以看出,开路电压随温度增加而下降的速度较快,短路电流随温度上升而增加的速度却很缓慢。

硅光电池:光照特性、频率响应和温度特性

常用的光电池有两种:一种是PN结型,如硅光电池、锗光电池等;另一种是金属-半导体接触型,如硒光电池、氧化亚铜、硫化铊、硫化镉、砷化镓光电池等。其工作原理是基于光生伏特效应。它们当中最受重视的是硅光电池,因为它有一系列优点:性能稳定、光谱范围宽、频率特性好、传递效率高、能耐高温辐射等。因此,下面着重介绍硅光电池。另外,由于硒光电池的光谱峰值位置在人眼的视觉范围,所以很多分析仪器,测量仪器亦常用到它。光电池的基本特征如下:

(1)光照特性。图5.2-7为硅光电池的光照特性曲线。短路电流是指负载电阻相对于光电池的内阻来讲是很小时的电流。负载电阻在100Ω以下,短路电流与光照Ee有比较好的线性关系,负载电阻过大,则线性变坏,这一点很重要。开路电压是指负载电阻远大于光电池的内阻时光电池两端的电压,它具有饱和特性。因此,把光电池作为敏感元件时,应该把它当作电流源的形式使用,即利用短路电流与光照度成线性的特点,这是光电池的主要优点之一。

图5.2-7 硅光电池的光照特性曲线

(2)光谱特性。图5.2-8为光电池的光谱特性曲线。从曲线上可以看出:不同材料的光电池的光谱峰值位置是不同的。例如硅光电池可在0.45μm左右范围内使用,而硒电池只能在0.34~0.57μm范围内应用。在实际使用中应根据光源性质来选择光电池,但要注意光电池的光谱峰值不仅与制造光电池的材料有关,同时也随使用温度而变。

(3)光电池的频率特性。图5.2-9示出光的调制频率f和光电池相对输出电流Ir的关系曲线。所谓相对输出电流Ir,是指高频时的输出电流与低频时的输出电流之比。可以看出,硅光电池具有较高的频率响应,而硒光电池较差。因此,在高速计数器,有声电影以及其它方面多采用硅光电池。(www.xing528.com)

图5.2-8 光电池的光谱特性曲线

图5.2-9 光电池的频率特性

(4)光电池的温度特性。光电池的温度特性是描述光电池的开路电压U、短路电流I随温度T变化的曲线。由于它关系到应用光电池设备的温度漂移,影响到测量精度或控制精度等主要指标,因此,它是光电池的重要特性之一。从图5.2-10的光电池的温度特性曲线中可以看出,开路电压随温度增加而下降的速度较快,短路电流随温度上升而增加的速度却很缓慢。因此,当光电池作为敏感元件时,在自动检测系统设计时就应该考虑到温度的漂移,需采取相应措施进行补偿。

免责声明:以上内容源自网络,版权归原作者所有,如有侵犯您的原创版权请告知,我们将尽快删除相关内容。

我要反馈