晶体管主要参数详解

BJT的参数可用来表征其性能的优劣和适应范围，是合理选择和正确使用BJT的依据。这里只介绍在近似分析中最主要的参数，它们均可在半导体器件手册中查到。

1.共射直流电流放大系数

当IC＞＞ICEO时，

2.共射交流电流放大系数β

β与的含义不同，β反映静态（直流工作状态）时的电流放大特性，反映动态（交流工作状态）时的电流放大特性。但在BJT输出特性曲线比较平坦时，且各条曲线间距离相等的条件下，可认为，故可混用。由于制造工艺的分散性，即使是同型号的BJT，其β值也有差异，通常为50～200。一般分立元件放大电路中取β=30～80的BJT为宜。集成电路中，由于制造工艺和电路功能的不同，有些BJT的β值可能小于10，如横向PNP型管，有些则可能高达数千，如超β管。

3.特征频率fT

由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数是所加信号频率的函数。信号频率高到一定程度时，集电极电流与基极电流之比不但数值下降，且产生相移，使共射电流放大系数的数值下降到1的信号频率称为特征频率fT。

4.最大集电极耗散功率PCM

PCM决定于晶体管的温升。当硅管的温度大于150 ℃、锗管的温度大于70 ℃时，管子特性明显变坏，甚至烧坏。对于确定型号的晶体管，PCM是一个确定值，即PCM=iCuCE=常数，在输出特性坐标平面中为双曲线中的一条，如图2.1.8所示。曲线右上方为过损耗区。(www.xing528.com)

图2.1.8　晶体管的极限参数

对于大功率管的PCM，应特别注意测试条件，如对散热片的规格要求。当散热条件不满足要求时，允许的最大功耗将小于PCM。

5.最大集电极电流ICM

iC在相当大的范围内β值基本不变，但当iC的数值大到一定程度时β值将减小，使β值明显减小的iC即为ICM。对于合金型小功率管，定义当uCE=1 V时的iC为ICM。由于PCM=iCuCE，此时的iC即为ICM。

6.极间反向击穿电压

晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压称为极间反向击穿电压，超过此值时管子会发生击穿现象。U（BR）CBO是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，这是集电结所允许加的最高反向电压。U（BR）CEO是基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压，此时集电结承受反向电压。U（BR）EBO是集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反向电压。

在组成晶体管电路时，通常根据需求选择管子的型号。例如用于组成音频放大电路，则应选低频管；用于组成宽频带放大电路，则应选高频管或超高频管；用于组成数字电路，则应选开关管；若管子温升较高或反向电流要求小，则应选用硅管；若要求b-e间导通电压低，则应选用锗管。而且，为防止晶体管在使用中损坏，必须使之工作在图2.1.8所示的安全区。

例2.1.2　在一个单管放大电路中，电源电压为30 V，已知三只管子的参数如表2.1.3所示，请选用一只管子，并简述理由。

表2.1.3　例2.1.2 的晶体管参数表

解：T1管虽然ICBO很小，即温度稳定性好，但β很小，放大能力差，故不宜选用。T3管虽然ICBO较小且β较大，但因UCEO仅为20 V，小于工作电源电压30 V，在工作过程中有可能被击穿，故不能选用。T2管的ICBO较小，β较大，且UCEO大于电源电压，所以T2最合适。